卡尔·汤普森V.

  • 材料科学与工程的斯塔夫罗斯Salapatas教授亚博网站首页
  • 麻省理工学院材料研究实验室(MRL)主任亚搏娱乐网页版登陆
  • SB,材料科学与工程学院,麻亚博网站首页省理工学院,1976年
  • SM,应用物理学,哈佛大学,1977年
  • 哈佛大学应用物理学博士,1982年

电化学;电子材料;储能;材料的力学性能;MEMS(微机电系统);纳米技术;表面,界面和薄膜

卡尔·汤普森V.

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汤普生教授和他的学生研究用于微纳米系统,特别是电子、机电和电化学系统的薄膜和纳米结构。亚搏娱乐网页版登陆他的团队对薄膜在沉积过程和沉积后的结构演变进行了基础研究亚搏娱乐网页版登陆。后者包括薄膜和纳米结构的模板固态去湿、新亚搏娱乐网页版登陆模式方法的开发和毛细管驱动形态进化的基础研究。汤普逊教授的研究小组亦进行碳纳米管生长及金属催化蚀刻以制造半导体纳米线阵列的机制亚搏娱乐网页版登陆研究。碳纳米管也被用于金属空气电池和电容性脱盐装置的研究,纳米线被用于固态亚搏娱乐网页版登陆超级电容器的研究。在自主微系统中应用的薄膜锂离子微电池和热原电池能量收集装置也在研究之中。

最近的新闻

卡尔·汤普森异形麻省理工学院新闻

卡尔·汤普森,斯塔夫罗斯·萨拉帕塔斯材料科学与工程教授,是麻省理工学院新成立的材料研究实验室的联合主任。亚搏娱乐网页版登陆亚博网站首页MRL是麻省理工学院长期建立的材料加工中心和材料科学与工程中心的结合。亚博网站首页

材料日回顾

我们在材料加工中心的朋友们最近举办了一年一度的材料日活动。作为当天活动的一部分,几名DMSE教员参加了一系列有关电池挑战的讲座。这一天还包括了海报设计比赛。比赛的获胜者是乒乓球……

MPC和CMSE有新的暑期实习生

“麻省理工学院非常幸运地拥有这个非常有才华的学生群体与我们的,和教师都希望他们中的一个将与他们的小组工作,”卡尔V.汤普森材料加工中心和材料的斯塔夫罗斯Salapatas教授主任亚博网站首页科学与工程在麻省理工学院。...

促进美国能源创新状况

Skoltech中心电化学储能汇集了来自麻省理工学院的研究人员一起和两名俄罗斯院所合作开发先进的电池和燃料电池。亚搏娱乐网页版登陆

在计算机芯片中使用纳米管

亚搏娱乐网页版登陆在MIT材料科学教授卡尔V.汤普森的实验室研究人员在温度上升结亚博网站首页晶碳纳米管的林密在金属表面上接近计算机芯片制造的那些特性。不同于以往尝试做同样的事情,研究人员的技术...亚搏娱乐网页版登陆

出版物

2018

D.佩雷戈,恒,J.S。T.,王,X.,绍喇叭,Y.,和Thompson,C. V.,“高性能多晶RuOx阴极用于薄膜锂离子电池”Electrochimica学报卷。283页。228 - 2332018
P. A.林福德许,L.,黄,B.,邵角,Y.,和汤普森,C.五,从循环温度变化中获取能量的多电池热镀锌系统电源技术卷。399页。429 - 4352018
H. K. Mutha, Cho, J., Hashempour, M., Wardle, B. L., Thompson, C. V., and Wang, E. N.,电容性去离子化装置间流动中的盐抑制海水淡化卷。437页。154-1632018
苗和汤普森,C. V.,“非晶硅薄膜阳极初始锂化的动力学研究”杂志电化学学会卷。165页。A650-A6562018

2017

R.多多罗等。“锂双(三氟甲磺酰)酰胺/二甲亚砜的高浓度电解质溶液氧还原反应”物理化学杂志的C卷。121页。9162 - 91722017
W.郑诚,Q.,王,D.,和汤普森,C.五,“基于Si高性能固态片上纳米线的超级电容器通过原子层沉积涂覆有氧化钌”电源技术卷。341页。1 - 102017
H. K.穆萨等。通过阻抗光谱法测定垂直排列的碳纳米管阵列的孔隙度和堆积形态纳米技术卷。28页。05LT012017
r . i .了等。“恒流InGaN-on-Silicon LED操作过程中缺陷的表征”微电子可靠性2017

2016

A. Al-Obeidi, Kramer, D. Boles, S. T., onig, R。和汤普森,C. V.,锂离子电池锂化和脱锂过程中涂覆氧化氮化磷的硅薄膜电极的机械测量应用物理快报卷。109页。0719022016
G. J. Syaranamual等。“二维电子气(2DEG)在藻类/氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)态退化中的作用”微电子可靠性卷。64页。589-5932016
W. A. Sasangka,Syaranamual,G. J.,制造,R. I.,汤普森C.五,和甘,C. L.,高温反向偏压下AlGaN/GaN-on-Si高电子迁移率晶体管的螺纹位错运动AIP进展卷。6257页。0951022016
A.铝奥贝迪,克莱默,D.,önig,R.,和Thompson,C. V.,“机械应力和锂磷氧氮涂覆锗电极的结晶锂化和脱锂期间”电源技术卷。306页。817 - 8252016
郑胜耀赛义德等。揭示非水相钠- o电池化学中的不稳定性和不可逆性化学。COMMUN。卷。523911621114461163119751512661681761584167155119119页。9691 - 96942016
D. G. Kwabi, Batcho, T. P., Feng, S., Giordano, L., Thompson, C. V., and Shao-Horn, Y.,“水对放电产物的生长和化学中的效果栗-O-2电池”物理化学物理化学卷。18页。24944 - 249532016
陈少昌,赵,H.,和汤普森,C. V.,“具有不同材料的高纵横比的AFM探针的制作灵感来自TEM‘顶出’方法”[真空科学与技术B的亚博网站首页卷。34页。0518052016
G. H.金,马,W.,耶尔德兹,B.,和汤普森,C.五,退火环境对单晶薄膜固态去湿过程中薄膜边缘各向异性收缩的影响应用物理学杂志卷。120页。0753062016
R. V.朱克,卡特,C.,和汤普森,C.五,“幂律缩放制度的薄膜固态去湿”Scripta Materialia卷。116页。143 - 1462016
R. V.祖克,金,G. H.,叶,J.,卡特,C.,和Thompson,C. V.,“角的机构去湿过程中单晶薄膜不稳定性”应用物理学杂志卷。119页。1253062016
D. G. Kwabi, Bryantsev, V. S., Batcho, T. P., Itkis, D. M., Thompson, C. V., and Shao-Horn, Y.,溶剂依赖的O-2/Li+-O-2(-)氧化还原偶的实验和计算分析:标准电位、耦合强度和锂氧电池的意义应用化学,国际版卷。55页。3129-31342016
c . y .邱等。“沉积条件对非晶的GeTe膜的结晶动力学的影响”材料科学杂志亚博网站首页卷。51页。1864 - 18722016
D. G. Kwabi, lodziecki, \l \, Pour, N., Itkis, D. M., Thompson, C. V., and Shao-Horn, Y.,非质子型锂-氧电池的电势和溶剂氧还原反应机理的控制物理化学快报杂志卷。7页。1204 - 12122016

2015

S. A.张,李,H. J.,汤普森,C. V.,罗斯,C. A.,和噢,Y. J.,《在透射电子显微镜下用自动分度法对多晶金膜固态去湿的晶体学分析》Apl材料卷。3页。1261032015
A. Al-Obeidi, Kramer, D., Thompson, C. V.和Moenig, R.,“锂化和脱锂化过程中机械应力和形态演变锗薄膜电极”电源技术卷。297页。472-4802015
n Ortiz-Vitoriano等。钠-氧-2电池中NaO2的成核与生长物理化学杂志快报卷。6页。2636 - 26432015
r s Omampuliyur等。“锂离子微电池用奈米薄膜矽阳极”纳米科学和纳米技术亚博网站首页卷。15页。4926-49332015
于和汤普森,C. V.,多晶镍薄膜在Volmer-Weber生长过程中使用低氧本底压力的应力工程[真空科学与技术A的亚博网站首页卷。33页。0215042015
金和汤普森,C. V.,表面能各向异性对类瑞利固体去湿和纳米线稳定性的影响Acta Materialia卷。84页。190 - 2012015
赖志强,郑,蔡文强,汤普生,“金属辅助硅的阳极蚀刻”纳米级卷。7页。11123 - 111342015
甘文华、甘文华、赖德华、谭和汤普生、甘文华、甘文华、赖德华、谭和汤普生、甘文华、赖德华、谭和汤普生、甘文华、赖德华、谭文华、汤普生、"用组合沉积和微悬臂梁表征Cu-Sn-In薄膜的杨氏模量、残余应力和断裂强度"微机械与微工程杂志卷。25页。0350232015

2014

于和汤普森,C. V.,对“多晶薄膜生长中断过程中晶粒表面形状变化与可逆应力演化的强度相关性”的回应理论物理。Lett. 105, 246101(2014)]”应用物理快报卷。1052014
于和汤普森,C. V.,“多晶膜生长期间上固有应力进化倾斜角沉积的影响”Acta Materialia卷。77页。284-2932014
D. G. Kwabi等。“在锂 - 空气电池二甲基亚砜的不稳定性”物理化学杂志快报卷。页。2850至2856年2014
于和汤普森,C. V.,多晶薄膜生长中断过程中晶粒表面形状变化与可逆应力演化的相关性应用物理快报卷。1042014
于和汤普森,C. V.,《多晶薄膜生长中的晶粒生长与复合应力演化》Acta Materialia卷。67页。189 - 1982014
F.高,陈,D.,土佬,H. L.,汤普森C.五,和帕拉西奥斯,T.,“藻类/氮化镓高电子迁移率晶体管表面俘获氧化还原源的研究”应用物理学杂志卷。1152014
F. Gao, Tan, S. C., del Alamo, J. A., Thompson, C. V.,和Palacios, T.,“水辅助电化学反应对藻类/氮化血红蛋白非稳态降解的影响”Ieee电子设备汇刊卷。61页。437 - 4442014
于H. Z.,莱布,J. S.,博尔斯,S. T.和汤普森,C. V.,“沃尔默 - 韦伯生长中断期间快速和慢速压力演化机制”应用物理学杂志卷。1152014

2013

S. T. Boles, Thompson, C. V., Kraft, O.和Moenig, R.,锂化硅纳米线的原位拉伸和蠕变试验应用物理快报卷。1032013
赖志强、郑H.、蔡伟强及汤普生,C. V.,金属辅助化学蚀刻硅过程中催化剂的运动力学物理化学杂志C卷。117页。20802 - 208092013
B. M. Gallant, Kwabi, D. G., Mitchell, R. R., Zhou, J., Thompson, C. V., and Shao-Horn, Y.,“在李-O-2电池的氧还原和演化动力学Li2O2形态的影响”能源与环境科学亚博网站首页卷。6页。2518 - 25282013
J. C.摩尔和汤普森,C. V.,“A唯象模型在ZnO类光电检测器部件中观察到的光电流瞬态松弛”传感器卷。13页。9921 - 99402013
z王等。“大面积铁磁圆柱形纳米壳和纳米阵列的合成与磁性能”应用物理学杂志卷。1132013
l .钟等。Li2O2电化学氧化的原位透射电镜观察纳米快报卷。13页。2209 - 22142013
R. R. Mitchell, Gallant, b.m., Shao-Horn, Y.,和Thompson, C. V.,“氧化锂颗粒在电化学生长过程中的形态演化机制”物理化学杂志快报卷。4页。1060 - 10642013
G. H.金,祖克,R. V.,叶,J.,卡特,C.,和Thompson,C. V.,“各向异性边缘缩回的定量分析通过薄单晶膜的固态去湿”应用物理学杂志卷。1132013
R. R. Mitchell, Yamamoto, N., Cebeci, H., Wardle, B. L., Thompson, C. V.,准碳纳米管/聚合物纳米复合材料的空间分辨接触电阻无电导率测量技术复合材料科学与技术亚博网站首页卷。74页。205 - 2102013
y - j。呵呵,金,J。-H。,汤普森,C.五,和罗斯,C. A.,“经由模板化组件共同的Pt纳米颗粒的热和激光诱导去湿双层金属膜的”纳米级卷。页。401 - 4072013

2012

R.恩莱特,Miljkovic,N.,铝奥贝迪,A.,汤普森C.五,地王,E. N.,“凝结在超疏水表面:局部能量壁垒和结构长度尺度的作用”朗缪尔卷。28页。14424-144322012
b·m·格兰特等。Li-O-2电池电极在循环过程中的化学和形态变化物理化学杂志C卷。116页。20800-208052012
f .高等。“上的AlGaN / GaN HEMT器件的电流崩塌水分和氟碳钝化的影响”Ieee电子器件通信卷。33页。1378 - 13802012
江,包,W.,汤普森,C. V.和斯罗洛维茨,D. J.,“模拟固态去湿问题的相场方法”Acta Materialia卷。60页。5578 - 55922012
gdp是等。垂直排列的碳纳米管的高地毯的合成——通过加入氧气的预热在原位产生水蒸气卷。50页。4002 - 40092012
赖志强、汤普生及蔡伟强,由具有各向异性表面能的纳米结构引起的单向、双向和三向润湿。朗缪尔卷。28页。11048-110552012
A. L.吉尔曼和汤普森,C. V.,由单周形貌的表面上的金薄膜的固态去湿导致的三维石墨外延对准应用物理快报卷。1012012
L.李,荷兰Joh,J.,阿拉莫,J. A.,和汤普森,C.五,“高功率应力下结构退化的空间分布中的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管”应用物理快报卷。1002012
r . i .了等。“实验表征和建模的铜 - 铜热压键的机械性能的用于三维集成电路”Acta Materialia卷。60页。578 - 5872012
c·汤普森诉“薄膜固态去湿”材料研究的年度评论,第42卷亚搏娱乐网页版登陆卷。42页。399 - 4342012
连拓、余、吴、J、汤普森、C. V.和崔、W. K.,“垂直与硅金属辅助化学蚀刻分离催化剂蚀刻”纳米级卷。4页。7532 - 75392012

2011

f .高等。“在的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的截止状态降解氧的作用”的应用物理快报卷。992011
江伟强、甘志强、汤普生、蔡伟强、魏建杰、“焊接参数对Cu与非共晶锡- in焊锡薄膜相互作用的影响”杂志电子材料卷。40页。2329 - 23362011
刘C.等。碳基功能化金属单壁碳纳米管的电导保护(vol 7, pg 1257, 2011)ACS的纳米卷。页。7684 - 76842011
z - s。蔡丽珍,林明光,甘彩林,汤普生,《铜基互连中的空隙动力学》应用物理学杂志卷。1102011
R. R. Mitchell, Gallant, b.m., Thompson, C. V, and Shao-Horn, Y.,“全碳纳米级纤维电极的高能量可充电锂O-2电池”能源与环境科学亚博网站首页卷。4页。2952 - 29582011
A. L.吉尔曼和汤普森,C. V.,“通过固态脱湿的金薄膜的石墨外延对准的要求”应用物理学杂志卷。1092011
J.哦,汤普森C.五,“电场的孔形成铝的阳极氧化过程中的作用”Electrochimica学报卷。56页。4044-40512011
叶和汤普森,C. V.,“模板化固态去湿可控地产生复杂的模式”先进材料卷。23页。1567 - 15712011
gdp是等。“前体气体化学物质确定碳的结晶纳米管在低温下合成”卷。49页。804-8102011
问:郭,张,L.,Zeiger,A. S.,李,Y.,凡弗利特,K. J.和汤普森,C.五,用微尺度悬臂阵列组合沉积法测量非晶Cu-Zr薄膜的杨氏模量的成分依赖性Scripta Materialia卷。64页。41-442011
叶和汤普森,C. V.,单晶镍薄膜固态去湿过程中的各向异性边缘收缩和孔洞生长Acta Materialia卷。59页。582 - 5892011
H.马里奥等。侧储层对铜互连线电迁移寿命的影响2011年第18届Ieee集成电路物理与故障分析国际研讨会(ipfa)2011
甘,C. L.和汤普森,C. V.,“铜锡金属间薄膜的力学性能表征微悬臂梁使用”2011年第18届Ieee集成电路物理与故障分析国际研讨会(ipfa)2011
J. Oh, Shin, Y. C.和Thompson, C. V.,一种用于在金衬底上制造通孔AAO支架的钨夹层工艺杂志电化学学会卷。158页。K11——K152011
J.哦,汤普森C.五,侧孔阵列封闭结构中阳极氧化铝的异常形成杂志电化学学会卷。158页。C71 - C752011

2010

S. -W。常,闯,V. P.,树干,S. T.,和Thompson,C. V.,“垂直对准多晶硅和非晶硅纳米线阵列的金属催化蚀刻通过蚀刻方向坐月子”先进功能材料卷。20页。4364-43702010
h .问:勒等。“水溶液法在氮化镓上生长单晶氧化锌纳米棒”(撤回第87卷,101908,2005)应用物理快报卷。972010
叶和汤普森,C. V.,“在有图案的单晶薄膜的固态去湿过程中,通过收缩和掐除边缘而形成的规则图案”物理评论B卷。822010
H.章,汤普森,C. V.,Stellacci,F.,和皮带,J. T. L.,“聚合物保护的纳米间隙的平行制造”纳米技术卷。212010
J.莱布和汤普森,C. V.,“沉积态多晶金薄膜应力松弛的弱温度依赖性”物理评论B卷。822010
叶和汤普森,C. V.,“单晶镍薄膜的固态去湿期间复杂形态演变的机制”应用物理快报卷。972010
D. Kim, Makaram, P.和Thompson, C. V.,“微型振荡裂纹扩展在氮化硅薄膜”应用物理快报卷。972010
P. Makaram,荷兰Joh,J.,阿拉莫,J. A.,帕拉西奥斯,T.,和Thompson,C. V.,“与电降解的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管相关联的结构缺陷的进化”应用物理快报卷。962010
郭,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆,陆。非晶Zr-Cu-Al薄膜结晶时的密度变化Acta Materialia卷。58页。3633 - 36412010
D. D. Nessim, Acquaviva, D., Seita, M., O\textquoterightBrien, K. P., and Thompson, C. V.,“下层材料和厚度的化学气相沉积生长垂直排列的碳纳米管和纳米金属基体上的关键作用”先进功能材料卷。20页。1306-13122010
S. -W。常,噢,J.,树干,S. T.,和Thompson,C. V.,“硅的制造基于纳米柱-纳米电容器阵列”应用物理快报卷。962010
j .云等。“从大面积纳米级提示垂直排列的碳纳米纤维的场发射和可控空间几何形状”卷。48页。1362 - 13682010
j .云等。“转换的碳纳米纤维,以碳纳米针:催化剂分裂和反向运动”纳米级卷。2页。2180 - 21852010

2009年

D. Kim, Giermann, A. L.和Thompson, C. V.,"图案薄膜的固态除湿"应用物理快报卷。952009年
O. M. Nayfeh,安东尼阿迪斯,D. A.,树干,S.,何,C.,和Thompson,C. V.,从绝缘体上的硅短侧壁通过气-液-固生长形成晶体管应用的桥接硅纳米线单层卷。页。2440 - 24442009年
gdp是等。“垂直排列的碳纳米管的低温合成与电接触金属基由碳原料的热分解已启用”纳米快报卷。9页。3398 - 34052009年
S. T.树干,杰拉德,E. A.,汤普森,C. V.,何,C. K. F.,和PEY,K. L.,“在Si纳米线的生长速率的催化剂的邻近效应”应用物理学杂志卷。1062009年
S. -W。常,闯,V. P.,树干,S. T.,罗斯,C. A.,和Thompson,C. V.,采用嵌段共聚物光刻和金属辅助蚀刻技术制备的超高宽比硅纳米线密集排列先进功能材料卷。19页。2595至00年2009年
J.莱布,Moenig,R.,和Thompson,C. V.,“关于可逆压缩沉积晶组织影响的直接证据强调在多晶金膜”物理评论快报卷。1022009年
y - j。哦,Ross, C. A., Jung, Y. S., Wang, Y.,和Thompson, C. V.,“钴颗粒阵列制成的模板化固态去湿”卷。页。860-8652009年
H. L.梁,甘,C. L.,汤普森C.五,PEY,K. L.,李,H. Y.,“三维集成电路的电迁移诱导结合改善”应用物理快报卷。942009年
S. T. Boles, Thompson, C. V.和Fitzgerald, E. A.,铟和膦对硅衬底上金催化InP纳米线生长的影响晶体生长杂志卷。311页。1446年至1450年2009年
H. L.梁,甘,C. L.,制造,R. I.,汤普森C.五,PEY,K. L.,李,H. Y.,铜-铜键合互连线接触电阻的实验表征与建模应用物理学杂志卷。1052009年
王敏,蔡美儿,高,高,莱布,J. S.,汤普森,C. V.,金表面电沉积ZnO的形貌控制研究杂志电化学学会卷。156页。D517——D5202009年
江伟强、甘志强、汤普生、蔡伟强、魏建杰、粘接的影响和对铜的粘结强度与75Sn25In焊料时效温度2009年

2008年

李,郭,Q.,卡尔布,J. A.,汤普森,C. V.,“使玻璃形成能力与非晶相的密度相匹配”亚博网站首页卷。322页。1816年至1819年2008年
问:郭等。“在不同厚度的薄的相变膜晶化引起的应力”应用物理快报卷。932008年
蔡伟光、刘展灏、达乌德、M. K.、史密斯、H. I.、汤普森、C. V.、洪、M. H.、采用干涉光刻和催化蚀刻技术合成硅纳米线和纳米线阵列纳米快报卷。8页。3799 - 38022008年
gdp是等。“垂直排列的碳纳米管直径和面密度过催化剂前处理的调整”纳米快报卷。8页。3587-35932008年
J. A.卡尔布,郭,Q.,张,X.,李,Y.,母猪,C.,和汤普森,C.五,《光触发微执行器中的相变材料》微机电系统杂志卷。17页。一〇九四年至1103年2008年
f·l·魏等。“电迁移导致的Cu/low-k互连的挤压失效”应用物理学杂志卷。1042008年
魏F. L.,豪列日,C. S.,马拉瑟,A. P.,汤普森,C. V.,“对Cu的可靠性活性原子汇和库的效果/低k互连”应用物理学杂志卷。1032008年
J.哦,汤普森C.五,“在多孔氧化铝选择性屏障穿孔阳极氧化在衬底上”先进材料卷。20页。1368 - +2008年
W. K.彩等。“自顶向下和自底向上相结合的方法,实现金属纳米颗粒在硅上的精确放置”卷。4页。330-3332008年
R. Tadepalli,特纳,K. T.,和Thompson,C. V.,“的使用非对称山形测试晶片级铜 - 铜键混合模式接口韧性”固体力学和物理学杂志卷。56页。707-7182008年
z - s。财,Moenig,R.,和汤普森,C.五,钝化铜互连线电迁移过程中微观结构对空洞形成、形状和运动的影响材料研究的亚搏娱乐网页版登陆卷。23页。383 - 3912008年
R. Tadepalli,特纳,K. T.,和Thompson,C. V.,“上的晶片级铜 - 铜键的界面韧性图案化的影响”Acta Materialia卷。56页。438 - 4472008年
c·汤普森诉使用线长度的效果,以优化电路级的可靠性2008年
c·汤普森诉碳纳米管作为互连:新兴技术和潜在的可靠性问题2008年

2007

H. L.梁,甘,C. L.,汤普森C.五,PEY,K. L.,李,H. Y.,接触理论在硅片金属-金属结合中的应用应用物理学杂志卷。1022007
z - s。财,Moenig,R.,和汤普森,C.五,“激活能量和前因子用于铜互连表面电迁移和空穴漂移”应用物理学杂志卷。1022007
z - s。崔,莫尼格,R.和汤普森,C. V.,电迁移通量与多晶铜互连中不同晶粒的晶体学取向的关系应用物理快报卷。902007
张智威、汤普生、张智威、甘智廉、裴国良、蔡伟强、林耀光、“关于线宽双镶嵌铜互连的电迁移失效的依赖性微孔的影响”应用物理快报卷。902007
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