尤金·a·菲茨杰拉德

  • Merton C. Flemings-SMA材料科学与工程教授亚博网站首页
  • CEO和研究与技术新加坡 - 麻省理工学院联盟主任亚搏娱乐网页版登陆
  • 材料科学与工程学士学位，麻亚博网站首页省理工学院，1985年
  • 博士材料科学与工程学院，康奈亚博网站首页尔大学，1989年

电子材料;纳米技术;半导体;表面，界面和薄膜

尤金·a·菲茨杰拉德

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菲茨杰拉德教授的小组的研究活动针对目前电子材料的局限性亚搏娱乐网页版登陆，特别是材料的缺陷，如点、线和面缺陷所造成的局限性。该小组的大部分工作集中在晶格不匹配的半导体系统上，其中电子材料和器件的层具有不同的晶格参数。这种材料组合在打印、存储、显示、通信和互连应用方面具有潜力。但是这些材料的用途取决于我们理解和消除由于半导体层间晶格不匹配而产生的晶体缺陷的能力。目前的项目包括制作可用于光纤到户应用的GeSi/Si探测器和InGaAs/GaAs发射器;集成微型机械装置的GeSi/Si结构;集成在Si和GaAs上的可见AlInGaP led和激光;集成在Si上的III-V微波晶体管;集成在Si上的III-V太阳能电池;关于这些异质结构中缺陷的产生、传播和相互作用的基础研究; and investigations of microscopic failure mechanisms in optoelectronic and electronic devices.

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亚搏娱乐网页版登陆研究和教育活动，2015-16

2015年12月1日

下面是从DMSE研究和教育活动的快速视频更新。亚搏娱乐网页版登陆蒋教授提出了他对能源的研究视角，吉布森教授介绍DMSE的在线教育课程，菲茨杰拉德教授解释DMSE与高亚搏娱乐网页版登陆校国际合作...

重新发现根本性创新

二零一五年十一月十日

“人们想象技术的研究是一个线性的过程，从台移动到舞台，但我们发现亚搏娱乐网页版登陆这不是真的发生了什么，”杰拉德说。“它的…

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出版物

2020

J.王，海德堡，C.，杰拉德，E. A.，和Quitoriano，N.J.，“上的CVD-生长的SiGe / Si的液相外延硅锗膜（001）分级膜”，晶体生长杂志的。爱思唯尔，页。125541，2020。

2018

十，赵，海德堡，C.，菲茨杰拉德，E. A.，陆，W.，瓦迪，A.，和阿拉莫，J. A.，“子10纳米直径的InGaAs垂直纳米线的MOSFET：镍对战沫联系人”，IEEE交易上的电子器件，第一卷。65。第3762-3768，2018。
S. A. Fortuna的，海德堡，C.，Yablonovitch，E.，杰拉德，E. A.，和Wu，C. M.，具有250皮秒自发辐射寿命的纳米级III-V发光二极管，在2018 IEEE国际半导体激光会议（ISLC），圣达菲，2018，第1-2。
Y.王et al。，“上通过低的穿透位错密度的硅衬底的AlGaInP LED的性能（TDD）锗缓冲层”，半导体科技亚博网站首页，第一卷。33。页。104004，2018。
A.卡迪尔et al。，“衬底氮化对生长在200毫米的Si（111）衬底的GaN的穿透位错密度的影响”一，薄固体电影，第一卷。663。第73-78，2018。
W. K.洛克，李，K. H.，王，Y.，谭，C. S.，菲茨杰拉德，E. A.，和尹，S. F.，“的InGaP / GaAs异质双极型晶体管上200毫米的Si晶片MOCVD生长为异构集成有Si CMOS”，半导体科技亚博网站首页，第一卷。33。页。115011，2018。
Y.王et al。，“上200毫米Si衬底In0.49Ga0.51P / GaAs异质双极晶体管（HBT）：基底厚度，基极和副集电极掺杂浓度的影响”，AIP进展，第一卷。8。页。115132，2018。
R.佳，朱，T.，Bulovic，V，和杰拉德，E. A.，“通过金属有机化学气相沉积生长的III-IV-V薄膜合金的发光”，应用物理学杂志，第一卷。123。页。175101，2018。
B.柳，毛，M.，皇家，C. C.，彩，P.，卡纳，D.，和杰拉德，E. A.，“一个完全集成的类-J的GaN MMIC功率放大器的5GHz WLAN 802.11ax应用”，IEEE微波和无线组件快报，第一卷。28。第434-436，2018。
B.柳，毛，M.，卡纳，D.，彩，P.，皇家，C. C.，和杰拉德，E. A.，“一种高效的完全集成的氮化镓功率放大器的5GHz WLAN 802.11ac的应用”，IEEE微波和无线组件快报，第一卷。28。第437-439，2018。
张良军et al。，“200mm直径的GaN绝缘体上的曲率进化晶片通过金属有机化学气相沉积和粘合制成”，日本应用物理学杂志，第一卷。57。页。051002，2018。
C.-C。黄，刘，Z.，兴，W.，吴，G一，菲茨杰拉德，E. A.，和Chua，S. J.，“采用200毫米的Si（111）晶片上的亚微米的GaN HEMT器件具有低晶片弯曲”，在2018第二届IEEE电子器件技术和制造会议（EDTM），科比，2018，第257-259。
K. H.李，王，Y.，张，L.，蔡氏，S. J.，菲茨杰拉德，E. A.，谭，C. S.，“通过晶片键合和层转移过程在石英衬底上的GaN LED”，ECS交易，第一卷。86。第31-36，2018。
E. A.杰拉德，“新硅业：硅CMOS ASIC的结合化合物半导体”，ECS交易，第一卷。86。第109-112，2018。
K. H.李et al。，“硅CMOS和III-V-上-Si构成单片集成通过直接圆片结合处理”，ECS交易，第一卷。86。第177 - 184，2018。
K. H.李，宝，S，汪，Y.，菲茨杰拉德，E. A.，谭，C. S.，“硅烷期间的界面的空隙形成的抑制（SiH基$ _ \ textrm4 $）具有薄的氮化硅盖层系氧化硅粘结”，应用物理学杂志，第一卷。123。页。015302，2018。
S. A.哈迪，杰拉德，E. A.，Griffiths的，S.，和Nayfeh，A.，“III-V族/硅双结太阳能大规模细胞：制造成本估算用于基于步骤电池技术”，可再生和可持续能源杂志，第一卷。10。页。015905，2018。
B.柳，毛，M.，卡纳，D.，皇家，C.-C。，彩，P.，和杰拉德，E. A.，“一种新的2.6-6.4 GHz的高度集成的宽带氮化镓功率放大器”，IEEE微波和无线组件快报，第一卷。28。第37-39，2018。
Y.王et al。，“高性能的AlGaInP发光二极管通过一个优越的品质集成在硅锗，绝缘体上”，光子学研究亚搏娱乐网页版登陆，第一卷。6。页。290，2018。
C.海德堡和杰拉德，E. A.，“的GaAsP /的InGaP的HBT外延生长在Si衬底上：位错密度的直流电流增益效应”，应用物理学杂志，第一卷。123。页。161532，2018。
D.南et al。，“低门槛激射在应变锗下光泵”，在激光和光电会议，加利福尼亚州圣何塞，2018，页。STh4I.6。
K. H.李et al。，“硅CMOS和III-V-上-Si构成单片集成通过直接圆片结合处理”，IEEE杂志的电子器件学会，第一卷。6。第571-578，2018。
D.李et al。，“光谱分离微集中器组件为横向排列的多结光伏模块”，在激光和光电会议，加利福尼亚州圣何塞，2018，页。AW3O.3。

2017

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S.胡贝尔曼et al。，“统一第一原理的理论预测和的大小的影响在热传输在硅锗合金实验测量”，物理复习资料，第一卷。1。2017。
K. H.李et al。，“硅CMOS和III-V材料的一体化通过多晶片堆叠”，在2017年IEEE SOI-3D-阈下微电子技术统一大会（S3S），伯林格姆，CA，2017，第1-2。
P.彩，Radhakrishna，U.，安东尼阿迪斯，D. A.，和杰拉德，E. A.，“关于RF GaN器件电路相互作用线性功率放大器使用MVSG紧凑模型设计”，在2017年IEEE化合物半导体集成电路研讨会（CSICS），佛罗里达州迈阿密，2017，第1-4。
K. H.李et al。，“用于光电集成电路应用的高质量锗薄膜在硅衬底上的异质外延”，材料研究杂志亚搏娱乐网页版登陆，第一卷。32。第4025-4040，2017。
美国保et al。，《用于InGaP外延的绝缘体上锗虚基板》，材料科学半导体加工亚博网站首页，第一卷。70。第17-23，2017。
十，阮S.et al。，“高品质的InGaAs HEMT层的MOCVD生长在大型硅晶圆的异构集成随着硅CMOS”，IEEE半导体制造会刊，第一卷。三十。第456-461，2017。
D. Kohenet al。，“在MOCVD生长的InAlAs防止相分离的组成渐变的InGaAs使用夹层硅衬底上缓冲液”，晶体生长杂志的，第一卷。478。第64-70，2017。
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李，包，S.，李，K. E. K.，菲茨杰拉德，E.，和谭，C. S.，“200mm硅碳合金与III-V材料通过晶圆键合集成”，在2017年第5届国际研讨会低温键合的三维集成（LTB-3D），日本东京，2017，第30-30。
X.召，海德堡，C.，杰拉德，E. A.，和阿拉莫，J. A.，“源极/漏极不对称的InGaAs垂直纳米线的MOSFET”，IEEE交易上的电子器件，第一卷。64。第2161年至2165年，2017。
张良军et al。，“氮化镓上SEMI规格200毫米硅MOCVD生长”，半导体科技亚博网站首页，第一卷。32。页。065001，2017。
P. Koert，特里，D.，杰拉德，E.，和Wukitch，S.，“在双stub调谐器，用于Alcator C-国防部低杂波电流驱动系统的研究进展”，聚变科学与技术亚博网站首页。第1-5，2017。
C.海德堡和杰拉德，E. A.，“的GaAsP /的InGaP异质结双极通过MOCVD生长晶体管”，应用物理学杂志，第一卷。121。页。045703，2017。
美国保et al。，《用于InGaP外延的绝缘体上锗虚基板》，材料科学半导体加工亚博网站首页，第一卷。58。第15-21，2017。
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十，赵，海德堡，C.，菲茨杰拉德，E. A.，陆，W.，瓦迪，A.，和阿拉莫，J. A.，“亚10纳米直径的InGaAs垂直纳米线的MOSFET”，在2017年IEEE国际电子器件会议（IEDM），旧金山，CA，USA，2017，第1-17。
B.王et al。，“控制晶片上200毫米的Si的InGaP的弓由应变工程”，半导体科技亚博网站首页，第一卷。32。页。125013，2017。
Y.金et al。，“通过石墨烯外延远程使二维基于材料的层转移”，性质，第一卷。544。第340-343，2017。
R.佳，曾，L.，陈，G.，和菲茨杰拉德，E. A.，“砷化镓/锗的热导率纳米结构”，应用物理快报，第一卷。110。页。222105，2017。
X.召，海德堡，C.，杰拉德，E. A.，和阿拉莫，J. A.，“源极/漏极不对称的InGaAs垂直纳米线的MOSFET”，IEEE汇刊上的电子器件，第一卷。64。第2161年至2165年，2017。
N. L.玉容et al。，“电子伏特的性能GaNAsSb基于Si基板上的光伏电池在不同的生长温度”，光伏发电的进展，第一卷。25。第327-332，2017。
C.海德堡和杰拉德，E. A.，“的GaAsP /的InGaP异质结双极通过MOCVD生长晶体管”，应用物理学杂志，第一卷。121。页。045703，2017。
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美国保et al。，“单缺陷六极态GeSn光子晶体激光器的制备与仿真”，在激光和光电会议，加利福尼亚州圣何塞，2017，页。JTu5A.110。

2016

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十，阮S.et al。，“在氮化镓发光二极管深能级陷阱通过金属有机气相外延8英寸的Si（111）衬底上生长”，日本应用物理学杂志，第一卷。55。页。060306，2016。
B.王et al。，“直接MOCVD磊晶的GaAsP的SiGe上的虚拟衬底，而不的SiGe生长”，晶体生长杂志的，第一卷。441。第78-83，2016。
K. E. Lee和杰拉德，E. A.，“变质晶体管：构建块为杂集成电路”，太太公告，第一卷。41。第210-217，2016。
M.魏斯曼，慕克吉，K.，增田，T.，Yaung，K. N.，杰拉德，E. A.，和Lee，M.L。，“直接峡2.1-2.2上的GaInAs /砷化镓变质缓冲区电子伏特的AlInP太阳能电池”，IEEE期刊光伏，第一卷。6。第571-577，2016。
S. A.哈迪，杰拉德，E. A.，和Nayfeh，A.，“理论效率限制两端子多结‘步骤细胞’使用详述的平衡法”，应用物理学杂志，第一卷。119。页。073104，2016。
R.佳和杰拉德，E. A.，“影响在砷化镓/锗界面形态参数超晶格通过金属有机化学气相沉积生长”，晶体生长杂志的，第一卷。435。第50-55，2016。
K. H.李et al。，“在锗/硅穿透位错密度的减少使用重As掺杂的Ge籽晶层”，AIP进展，第一卷。6。页。025028，2016。
S.亚达夫et al。，“与峰值移动超过Si基3000厘米（2）装配式/V.s QW In0.30Ga0.70As的MOSFET”，2016 IEEE硅纳米电子学研讨会（SNW）。第126-127，2016。
S. A.财神et al。，“光学天线增强自发辐射率在电注入纳米III-V LED”，在 2016国际半导体激光会议（ISLC），纽约：IEEE，2016。
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R. E.勃兰特et al。，“温度和强度相关的光伏测量，以识别主导重组之路”，在 2016第43届IEEE光伏专家会议（PVSC），纽约：IEEE，2016，第1997- 2001年。
S. A.哈迪，Milakovich，T.，沙，R.，杰拉德，E. A.，和Nayfeh，A.，“迈向GaAs0.76P0.24/ Si双结步进电池的示范”，在 2016第43届IEEE光伏专家会议（PVSC），纽约：IEEE，2016，第1881年至1886年。

2015

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R. S. Omampuliyuret al。，“纳米结构薄膜硅阳极适用于锂离子微型电池”，纳米科学和纳米技术亚博网站首页，第一卷。15。第4926-4933，2015。
A.卡迪尔，黄，C. C.，李，K. E. K.，杰拉德，E. A.，和Chua，S. J.，“响应于‘上的合金组合物的\ textquoterightDetermination注释和应变在多个AlGaN缓冲在氮化镓/ Si系\ textquoteright’[申请层。物理学。快报。106，176101（2015）]”，应用物理快报，第一卷。106。页。176102，2015。
K.慕克吉Deotare，P. B.，和杰拉德，E. A.，“在室温有序 - 无序的AlGaInP量子阱的光致发光的改进特性和升高的温度”，应用物理快报，第一卷。106。页。142109，2015。
X. S.阮林，K.，杰拉德，E. A.，和Chua，S. J.，“与在GaN中深能级阱的产生 - 复合中心的相关性”，应用物理快报，第一卷。106。页。102101，2015。
K. H.李，宝，S.，冲，G. Y.，谈，Y. H.，杰拉德，E. A.，和Tan，C. S.，《在氧气环境中退火降低绝缘体上锗晶片中锗外延薄膜的缺陷》，APL材料，第一卷。3。页。016102，2015。
S. A.哈迪et al。，“单层抗反射涂层的设计优化运用GaAs1-xPx / Si叠层细胞与x = 0时，0.17，0.29，和0.37”，IEEE期刊光伏，第一卷。五。第425-431，2015。
E. A.杰拉德，Langdo，T.A。，麦戈文，K.M。，和Renjilian，R.，点的饮用水净化创新：水倡议。2015。
N.Y。Pacella，Bulsara，M. T.，Drazek，C.，Guiot，E.，和杰拉德，E. A.，“高级戈和InP鞋底基材的制备和热预算注意事项”，固体科学与技术杂志亚博网站首页，第一卷。4。第P258 - P264，2015。

2014

K.慕克吉，比顿，D. A.，奥马斯卡雷，A.，Bulsara，M. T.，和杰拉德，E. A.，“错位应变对晶格失配的AlGaInP层的外延影响”的，晶体生长杂志的，第一卷。392。第74 - 80，2014。
K. H.谭et al。，“研究的一个1伏特GaNAsSb光伏电池的生长在硅衬底上”，应用物理快报，第一卷。104。2014。

2013

Y. Y.亮，尹，S。，和杰拉德，E. A.，“量子点的生长的动力学蒙特卡罗模拟上台阶衬底”，物理学d-应用物理系，第一卷。46。2013。
D. A.比顿，基督教，T.，Alberi，K.，奥马斯卡雷，A.，慕克吉，K.，和菲茨杰拉德，E. A.，“在AlxIn1-XP的直接与间接带隙转变成分的测定”，应用物理学杂志，第一卷。114。2013。
F.霍夫曼et al。，“内在到在一个GaAs基的AlAs超晶格外在声子寿命过渡”，物理学，凝聚态，第一卷。25。2013。
K.慕克吉et al。，“生长，微结构和发光直接带隙的InAlP构成上放松的InGaAs性质在GaAs衬底上”，应用物理学杂志，第一卷。113。2013。
司徒锡培、苏锡柏、菲茨杰拉德、东华三院、蔡美儿、“俄歇复合如在低温下氮化铟主导重组过程的稳态光致发光过程中”，应用物理快报，第一卷。102。2013。
C. Y.姚，许，D. W.，尹，S. F.，和杰拉德，E. A.，“GaAs构成低温直接晶片键合于Si经由等离子体活化”，应用物理快报，第一卷。102。2013。

2012

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Y. Y.梁，尹，S. F.，非政府组织，C. Y.，洛克，W. K.，和杰拉德，E. A.，分子束外延技术在锗-硅-绝缘体-基板(GeOI)上的InAs/GaAs量子点，物理学1.166 C：在固体物理学，第9卷当前主题，第一卷。9。2012。
E. A.杰拉德，“III-V/SiGe + CMOS集成电路平台的材料集成”，四哥，Ge和相关化合物5：材料，加工和设备，第一卷。50。第1033年至1037年，2012。
P.夏尔马Milakovich，T.，Bulsara，M. T.，和杰拉德，E. A.，控制外延GaAsxP1-x/Si1-yGey异质界面，四哥，Ge和相关化合物5：材料，加工和设备，第一卷。50。第333-337，2012。

2011

K. H.谭et al。，“分子束外延生长GaNAsSb 1eV的光伏电池”，晶体生长杂志的，第一卷。335。第66-69，2011。
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Y. Y.亮et al。，“对生长在GaAs /锗/的Si1-xGex / Si衬底的InAs量子点的表面形态生长参数的影响”，晶体生长杂志的，第一卷。323。第426-430，2011。
B. S. Ong, Pey, K. L.， Ong, C. Y.， Tan, C. S.， Antoniadis, D.， and Fitzgerald, E. A.，“化学汽相比较沉积和物理气相沉积WSi2金属栅极诱导InGaAs n-金属氧化物半导体场效应晶体管”，应用物理快报，第一卷。98。2011。
M.冈萨雷斯，卡林，A. M.，Dohrman，C. L.，杰拉德，E. A.，和零关系Ringel，S. A.，"用深能级光谱学和深能级瞬态光谱学测定生长在SiGe/Si和GaAs上的p型In0.49Ga0.51P中的带隙态"，应用物理学杂志，第一卷。109。2011。
L.杨，郑，C. W.，Bulsara，M. T.，和菲茨杰拉德，E. A.，“氧化铝/砷化铟镓接口对沟道迁移率”，Ulsi工艺集成，第一卷。41。第219-225，2011。
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N.Y。Pacella，Bulsara，M. T.，和杰拉德，E. A.，“硅CMOS联系人以III-V材料为III-V和Si器件单片集成”，在 硅兼容的材料，工艺和技术先进的集成电路和新兴应用，第一卷。35，2011，第225-229。

2010

王锡麟、裴国良、叶锦华、叶振华、菲茨杰拉德、叶振华、安东内亚迪斯、“垂直排列的Si纳米线/纳米棒基于芯 - 壳p-n结的太阳能电池”，应用物理学杂志，第一卷。108。2010。
H. Q.乐et al。，“使用的水溶液的方法在GaN单晶ZnO纳米棒生长（2005体积87的缩回，101908，）”，应用物理快报，第一卷。97。2010。
G. Mazzeo，Yablonovitch，E.，姜，H. W.，白，Y.，和菲茨杰拉德，E. A.，“传导带不连续和电子约束在SixGe1-X /锗界面”，应用物理快报，第一卷。96。2010。
W. E.霍克et al。，“分子束外延生长和在硅上GaAs伪高电子迁移率晶体管的性能的复合基材”，真空科学与技术杂志B亚博网站首页，第一卷。28。2010。
M. J.森，树干，S.T。和Fitzgerald的，E. A.，“压缩和拉伸放松组分渐变的GaAsP和（Al）的底物的InGaP的比较”，真空科学与技术杂志亚博网站首页，第一卷。28。第182-188，2010。
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