詹姆斯·m·LeBeau
- 约翰·奇普曼材料科学与工程副教授亚博网站首页
- 伦斯勒理工学院材料科学与工程学亚博网站首页士
- 加州大学圣巴巴拉分校材料科学与工亚博网站首页程博士
- 13 - 5034
- lebeau@mit.edu
陶瓷;电子材料;能量储存;纳米技术;结构材料;表面,界面和薄膜
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James M. LeBeau于2010年获得加州大学圣巴巴拉分校(University of California Santa Barbara)博士学位,之后于2011年1月加入北卡罗莱纳州立大学(North Carolina State University)材料科学与工程系亚博网站首页,担任教员。他的研究亚搏娱乐网页版登陆重点是应用和发展革命性的(扫描)透射电子显微镜技术,将原子结构和缺陷/界面的化学与材料性质连接起来,用于量子计算、能源存储、电力电子、电介质和光学应用。他发表了90多篇论文,拥有美国专利,并因其工作获得PECASE(来自国防部)、NSF职业奖、微量分析学会K.F.J . Heinrich奖和大学教师学者(NCSU)的认可。
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Lebeau的最近教师提交Pecase
2019年8月8日
出版物
2021
K. Reidy.et al。,moiré超晶格在2D/3D界面上的直接成像和电子结构调制,自然通讯,卷。12,不。1.Springer 亚博网站首页Science和Business Media LLC,2021.
2020
Z. H.ILIN.et al。,通过湿蚀刻技术在硅上悬浮的单晶氧化物结构:氧空位和位错对蚀刻速率的影响,真空科学与技术学报亚博网站首页,卷。38岁的不。1.美国真空学会,p。013406,2020.
S. S. Jo.et al。,“通过氧化薄膜氧催化硫形成大面积MOS2薄膜”,真空科学与技术学报亚博网站首页,卷。38岁的不。1.美国真空学会,p。013405,2020.
A. N.Penn,Koohfar,S.,Kumah,D.P.和Lebeau,J.M。,《La0.7Sr0.3CrO3/La0.7Sr0.3MnO3多层薄膜电荷再分布研究》,AIP进步,卷。10,不。4.每年出版,p。045113,2020.
A. Kumar.et al。,铅基弛豫铁电体纳米局域结构的原子分辨电子显微镜,自然材料.Springer 亚博网站首页Science和Business Media LLC,2020.
m . r . Hauwilleret al。,《用扫描透射电子显微镜观察掺硅氮化铝的阴极发光》,APL材料,卷。8,不。9.每年出版,p。091110,2020.
2019
h . Dycuset al。,瞬态表面形貌对AlGaN层和井组分控制的作用,达成。理论物理。列托人。,卷。114..p。031602,2019.
D. Pham, Dycus, J. H., LeBeau, J. M., Manga, V. R., Muralidharan, K., and Corral, E. L.,“锆二硼化物火花血浆烧结期间氧化物碳热减少的热化学模型”,j。陶瓷。Soc。,卷。102..PP。757-767,2019.
2018
Z. H.ILIN.et al。,半导体-晶体氧化物界面上的电荷转移和可调谐内置电场,arXiv.2018.
W. Xu和Lebeau,J. M.,深度卷积神经网络分析位置平均收敛束电子衍射图,Ultramicroscopy,卷。188.PP。59-69,2018.
D. Pham, Dycus, H., LeBeau, J. M., Manga, V. R., Muralidharan, K.和Corral, E. L.,二硼化锆放电等离子烧结过程中氧化物碳热还原的热化学模型,美国陶瓷学会杂志.2018.
徐伟,Dycus, J. H., LeBeau, J. M.,定量能量色散x射线光谱样品几何形状的数值模拟,Ultramicroscopy,卷。184.PP。100-108,2018.
E. D. Grimley, Schenk, T. Mikolajick, T. Schroeder, U.和LeBeau, J. M.,“铁电HFO 2中结构域的原子结构和间隔边界”,先进的材料界面.p。1701258,2018.
M. J. Cabral, Zhang, S., Dickey, E. C.,和LeBeau, J. M.,松弛剂Pb(Mg1∕3Nb2∕3)O的梯度化学顺序,应用物理快报,卷。112..p。082901,2018.
F. P. G. Fengleret al。,用模量光谱和热激发退极化电流分析铪基铁电体的性能不稳定性,先进的电子材料.p。1700547,2018.
R. Dhall.et al。,纳米级d -轨道电子集体振荡的探测,应用物理快报,卷。112..p。061102,2018.
c . c . Millevilleet al。,“半导体异质结构中的工程高效光子上转换”,ACS Nano,卷。在新闻.p。acsnano.8b07062,2018.
r . Trappenet al。,“LA0.7SR0.3MNO3薄膜的静电潜力和价值调制”,科学。代表。,卷。8.施普林格我们,p。14313.,2018.
e . d . Grimleyet al。,cdos /MgO和cdos / al2 o3界面原子结构的复杂性,J. Appl。理论物理。,卷。124..p。205302,2018.
h . Dycuset al。,“III-氮化物表面上超薄天然氧化物的结构”,ACS应用材料与界面,卷。10..PP。10607 - 10611,2018.
博伊德,达尔,R,勒博,J. M.和奥古斯汀,V.,p2型钠过渡金属氧化物在水电解质中的电荷储存机理及降解,J. Mater。化学。一种,卷。6.PP。22266 - 22276,2018.
R. Kirste.et al。,通过控制点缺陷形成实现的光学泵浦激光器中的6kW / cm2 UVC激光阈值“,达成。理论物理。表达,卷。11..p。082101,2018.
S. R. Broderick, Kumar, A., Oni, A. A., LeBeau, J. M., Sinnott, S. B.和Rajan, K.,用统计学习方法发现镍基金属间化合物的化学位点占用-模量相关性,第一版。提供者。事,卷。14..elewsvier.,PP。8 - 14,2018.
X.陈et al。,“NA中的超级电荷分离和高电压相xMnO2”,放置功能。板牙。,卷。1805105.p。1805105,2018.
2017
r . m . Moghadamet al。,高迁移率半导体上集成的超薄单晶弛豫铁电体,纳米快报,卷。17..PP。6248 - 6257,2017.
c·里希特et al。,掺硅氧化铪-“脆弱的”铁电系统,放置电子。板牙。,卷。3..p。1700131,2017.
J. B. Mitchell, Lo, W. C., Genc, A., LeBeau, J. M.,和Augustyn, V.,《氧化钨中结构水从电池到伪电容行为的转变》,化学材料,卷。29..PP。3928 - 3937,2017.
k·t·法伯尔et al。,陶瓷和玻璃科学研究在应对社会挑战中的作用:来自nsf资助研讨会亚博网站首页的报告亚搏娱乐网页版登陆,j。陶瓷。Soc。,卷。100..p。1777--1803,2017.
d·荣格et al。,高拉伸应变Ge/InAlAs纳米复合材料,自然通讯,卷。8.p。14204,2017.
j。h。戴克斯和勒博,j。M。“制备横截面透射电子显微镜的脆性半导体材料的可靠方法”,杂志的显微镜,卷。268.PP。225 - 229,2017.
Z. H.ILIN.et al。,Ge(001)上外延生长单晶SrZrO$_3$的结构和电学性能,J. Appl。理论物理。,卷。122..p。084102,2017.
m . h .公园et al。,“掺杂各种掺杂剂的HfO₂薄膜结构演变的综合研究”,材料化学CHINESC,卷。5.PP。4677 - 4690,2017.
2016
e . d . Grimleyet al。,“铁电HFO 2薄膜中潜在循环现象的结构变化”,先进的电子材料,卷。2.p。1600173,2016.
z陈et al。,绝对尺度能量色散x射线光谱定量原子分辨率元素制图,Ultramicroscopy,卷。168.PP。7 - 16,2016.
海斯迈尔et al。,“通过精确的化学计量对照,”释放菌株在复合氧化物薄膜中诱导铁电性“,先进的功能材料,卷。26..PP。7271 - 7279,2016.
W. Xu, Bowes, P. C., Grimley, E. D., Irving, D. L., and LeBeau, J. M.,单晶表面重建的电子显微镜原位实空间成像,应用物理快报,卷。109..p。201601.,2016.
H. Dycus, Xu, W., Lichtenwalner, D. J., Hull, B., Palmour, J. W., and LeBeau, J. M.,“钝化SiC/SiO₂界面的结构和化学”,应用物理快报,卷。108..p。201607.,2016.
Xu w, Dycus, J. H., Sang, X., and LeBeau, J. M.,透射电子显微镜中多探测器能量色散x射线能谱的数值模型,Ultramicroscopy,卷。164.PP。51 - 61,2016.
S. R. S. R. Spurgeonet al。,La$_2$MnNiO$_6$外延合成中双钙钛矿结构成核的竞争路径,化学。板牙。,卷。28..PP。3814 - 3822,2016.
A. A. ONI,Broderick,S. R.,Rajan,K。和Lebeau,J. M.,NiAlCoTi高温合金的原子位偏好和γ′/γ错配应变,金属互化物,卷。73.PP。72 - 78,2016.
M.Pešić.et al。,HfO - 2基铁电电容器场循环行为背后的物理机制,先进的功能材料,卷。26..PP。4601 - 4612,2016.
a . j . Zaddachet al。,“多主元素Ni-Fe-Cr-Co-Zn-Mn合金的结构和磁性性能”,金属互化物,卷。68.PP。107-112,2016.
X. Sang和Lebeau,J. M.,“表征基于闪烁体的探测器到单电子的响应”,Ultramicroscopy,卷。161.PP。3 - 9,2016.
J. H. Dycus.et al。,实验条件对能量色散x射线能谱原子柱可见性的影响,Ultramicroscopy,卷。171.PP。1 - 7,2016.
答:Nozariasbmarzet al。,“SiGe-Mg 2 Si,SiGe-FeSi 2的纳米结构Mg 2 Si,FeSi 2,SiGe和纳米复合材料的热电性能比较,APL材料,卷。4.p。104814,2016.
D. Pham, Dycus, J. H., LeBeau, J. M., Manga, V. R., Muralidharan, K., and Corral, E. L.,“用碳化硼和放电等离子烧结加工高强度低氧化物ZrB₂陶瓷”,美国陶瓷学会杂志,卷。8.PP。1-8,2016.
2015
d . Eiteneeret al。,“从软 - X射线常设波角度分辨的光曝光的光曝光的Lanio3 / srtio3超晶格中的埋藏层和埋层和界面的深度分辨的组成和电子结构”,j .电子斯派克。遗传代数。现象,卷。211..PP。70 - 81,2015.
c·伊顿et al。,SrVO3薄膜的混合分子束外延生长,j .休假。科学。抛光工艺。真空,表面,薄膜。,卷。33.p。061504,2015.
j·l·琼斯et al。,实验和计算相结合的方法揭示了铁电薄膜合成过程中埋藏界面的演化,先进的材料界面,卷。2.p。1500181,2015.
答:a . Oniet al。,使用扫描透射电子显微镜对多幅图像进行大面积应变分析,达成。理论物理。列托人。,卷。106..每年出版,p。011601,2015.
S. V. Raju.et al。,B和Cr对高压下Ni$_3$Al合金弹性强度和晶体结构的影响,J.合金Compd。,卷。619.PP。616 - 620,2015.
牛,C.,欧文,D. L.和勒博,J. M.,“直接观察介质介导的旋转介质旋转氧化物固溶体的扭曲”,达成。理论物理。列托人。,卷。106..每年出版,p。061913.,2015.
c - y。黄et al。,磁电La0.7Sr0.3MnO3/PbZr0.2Ti0.8O3异质结构的磁畴、铁电畴和界面自旋成像,期刊。提供者。事,卷。27..IOP出版,p。504003,2015.
h . Dycuset al。,“使用扫描透射电子显微镜真实空间中的精确纳米级晶体学”,显微镜和显微分析,卷。21..PP。946 - 952,2015.
c .妞妞et al。,“赤素高熵合金Nifecroy中Cr的旋转驱动排序”,达成。理论物理。列托人。,卷。106..每年出版,p。161906,2015.
X. Sang, Grimley, E. D., Schenk, T., Schroeder, U.和LeBeau, J. M.,“关于HFO铁电的结构起源2薄膜”,达成。理论物理。列托人。,卷。106..每年出版,p。162905,2015.
J. Zhou.et al。,La0.7Sr0.3MnO3/PbZr0.2Ti0.8O3磁电界面的厚度依赖性,应用物理快报,卷。107..PP。0-5,2015.
美国Srinivasanet al。,“用于设计多组合合金的化学选择途径:材料设计的信息框架”,科学报告,卷。5.p。17960,2015.
2014
X. Sang,Oni,A. A.和Lebeau,J.M.,原子列索引:通过矩阵表示的原子分辨率图像分析,显微镜和显微分析,卷。20..PP。1764-1771,2014.
p·d·Lomenzoet al。,“具有锡和IR电极的Si掺杂HFO2薄膜中的”铁电现象“,j .休假。科学。抛光工艺。B,纳米技术。微电子。板牙。过程。测量。Phenom。,卷。32.AVS:材亚博网站首页料、界面和加工科学与技术,p。03 d123,2014.
X. Sang和Lebeau,J. M.,旋转扫描透射电子显微镜:在不知情的情况下纠正样品漂移畸变,Ultramicroscopy,卷。138..PP。28-35,2014.
E. J. Mily.et al。,末端氧化物结构和性质在纳米虫反应中的作用,薄固体电影,卷。562..PP。405 - 410,2014.
E. A.佩斯利et al。,氮化镓表面光滑的立方相称氧化物,应用物理学报,卷。115..p。064101,2014.
A. A. Oni, Hook, D. Maria, J. P.和LeBeau, J. M.,Ti$_6$Sn$_5$金属间化合物中的相共存,金属互化物,卷。51.PP。- 52,2014.
c。M。帕里什,怀特,r。M。M。勒博,j。M。M。米勒,M。K。纳米铁素体合金对高剂量重离子辐照的响应,j .诊断。板牙。,卷。445..PP。251 - 260,2014.
2013
m . f . Saracet al。,喷绘镍纳米颗粒用于在金属(Al, Cu, Ti)表面上大面积生长垂直排列的碳纳米纤维,ACS Appl。板牙。&界面,卷。5.美国化学学会,PP。8955 - 8960,2013.
T. -TA E. Chan,Lebeau,J. M.,Venkatasubramanian,R.,Thomas,P.,Stuart,J.和Koch,C. C.,“通过N型纳米结构BI(SE)TE合金中热压压力的载体浓度调节”,达成。理论物理。列托人。,卷。103..每年出版,p。144106,2013.
s。d。芬德利和勒博,j。M。“扫描透射电子显微镜中的检测器不均匀性”,Ultramicroscopy,卷。124..PP。52-60,2013.
H. Dycus, White, R. M. Pierce, J. M. Venkatasubramanian, R. and LeBeau, J. M.,金属van der Waals外延生长Bi2Te3/GaAs界面的原子尺度结构和化学,应用物理快报,卷。102..p。081601.,2013.
a·r·威尔逊et al。,从核壳到合金:溶液合成AuPd纳米颗粒催化剂的制备和表征,期刊。化学。C,卷。117..美国化学学会,PP。17557 - 17566,2013.
j·p·山姆伯格et al。,Ga(As,P)/(In,Ga)As应变多重量子阱结构的界面性质,达成。理论物理。列托人。,卷。103..每年出版,p。071605,2013.
2012
G. Ruben, Cosgriff, E. C., Alfonso, A. J. D., Findlay, S. D., LeBeau, J. M.,和Allen, L. J.,采用低角度环形暗场探测器进行深度切片的界面定位,Ultramicroscopy,卷。113..PP。131 - 138,2012.
2011
j .谢et al。,“在N型GaN中的菌株”,应用物理快报,卷。99.PP。2009 - 2012,2011.
j . m . LeBeauet al。,纳米级铁电极性的测定,达成。理论物理。列托人。,卷。98.美国物理研究所,p。052904,2011.
B. D. Forbes.et al。,“透射电子显微镜中的热漫射散射”,Ultramicroscopy,卷。111..PP。1670 - 1680,2011.
a . x灰色et al。,《硬x射线光电发射检测超薄外延LaNiO$_3$薄膜的绝缘状态》,理论物理。启B,卷。84.2011.
wang, chobpatana, V., Zhang, J. Y., LeBeau, J. M., Engel-Herbert, R.,和Stemmer, S.,“铝合金HFO2I0.53GA0.47AS金属氧化物 - 半导体电容器”,达成。理论物理。列托人。,卷。98.2011.
2010
J. Son, LeBeau, J. M., Allen, J.和Stemmer, S.,超薄LaNiO$_3$薄膜在超晶格中的电导率增强,达成。理论物理。列托人。,卷。97.2010.
J. M. LeBeau, Findlay, S. D. S. D. D. Allen, L. J.和S. Stemmer,扫描透射电子显微镜中的非标准原子计数,纳米快报,卷。10..PP。4405 - 4408,2010.
T. E. Buehl, LeBeau, J. M., Stemmer, S., Scarpulla, M. A., Palmstrom, C. J.和Gossard, A. C.,分子束外延法在(411)A和(411)B GaAs上生长嵌入的ErAs纳米棒,晶体生长杂志,卷。312..PP。2089 - 2092,2010.
J. M. LeBeau, Findlay, S. D. Allen, L. J. and Stemmer, S.,位置平均会聚束电子衍射:理论与应用,Ultramicroscopy,卷。110..PP。118-125,2010.
j .儿子et al。,低维Mott材料:超薄外延LaNiO$_3$薄膜中的输运,达成。理论物理。列托人。,卷。96.2010.
2009
j . m . LeBeauet al。,“使用X射线衍射的主页氧化薄膜的化学计量优化”,应用物理快报,卷。95.p。142905,2009.
d . Bougeardet al。,“GE $ _1-X $ MN $ _X $群:磁性半导体中的纳米级电线自组装的中央结构和磁性构件块”,Nano。,卷。9.PP。3743 - 3748,2009.
J. M.Lebeau,Alfonso,A. J. D.,Findlay,S。D.,Sewner,S。和Allen,L. J.,“实验性和模拟亮场扫描透射电子显微镜图像中对比度的定量比较”,物理评论B,卷。80.2009.
J. M. LeBeau, Findlay, S. S. D. S. D. Wang, X., Jacobson, A. J. A. J., Allen, L. J.,和Stemmer, S.,含重元素晶体中快速电子的大角度散射:模拟与实验,物理评论B,卷。79.p。214110,2009.
2008
J. M. LeBeau, Hu, Q. O, Palmstrom, C. J.和Stemmer, S.,后生长退火外延Fe/(001) GaAs界面的原子结构,应用物理快报,卷。93.2008.
D. S. Boesch,Son,J.,Lebeau,J. M.,Cagnon,J. El和Sewner,S.,《(001)Pt/SrTiO$_3$外延SrTiO$_3$薄膜介电性能的厚度依赖性》,达成。理论物理。表达,卷。1.p。091602,2008.
j。m。勒博和S。斯坦默,扫描透射电子显微镜环形暗场图像的实验量化,Ultramicroscopy,卷。108..PP。1653 - 1658,2008.
J. M. LeBeau, Findlay, S. D. Allen, L. J. and Stemmer, S.,定量原子分辨扫描透射电子显微镜,物理评论快报,卷。100..p。206101,2008.
j . m . LeBeauet al。,《用于阈值电压控制的含稀土氧化物层的hf基栅极电介质堆栈的高温稳定性》,应用物理快报,卷。92.2008.
M. A. Scarpulla, Zide, J. M. O. LeBeau, J. M. Van de Walle, C. G. Gossard, A. C. and Delaney, K. T.,GaAs和AlAs中嵌入的2nm ErAs纳米粒子的近红外吸收和半金属-半导体转变,应用物理快报,卷。92.2008.
答:Delabieet al。,氧化铪在Ge和GaAs基板上的原子层沉积:前驱体和表面制备,电化学学会杂志,卷。155.p。H937,2008.
2007
D. O. Klenov, Zide, J. M. O. LeBeau, J. M., Gossard, A. C.和Stemmer, S.,外延InGaAs层中嵌有ErAs纳米粒子的排序,应用物理快报,卷。90.p。121917.,2007.
J. M. LeBeau和Y. Boonyongmaneerat浆基处理用含水粘结剂体系的比较研究,材料科学与工程亚博网站首页,卷。458..PP。17-24,2007.