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于尔根·米歇尔引线研究硅基光子材料和设备亚搏娱乐网页版登陆,以及先进的太阳能电池设计项目。他的主要焦点是目前片上WDM设备,基于Ge-高性能检测器和调制器,并与以实施基于CMOS芯片有源光子器件的目标基于Ge-激光器。
此前在1991年加入麻省理工学院,他在AT&T贝尔实验室技术人员的博士后会员,研究半导体材料缺陷反应和缺陷性。他在德国接受教育,获得了物理学在科隆大学文凭和他在帕德博恩大学博士学位和康复应用物理学。他已经发表了300篇多审过的科学论文,5周本书的章节,获得28项专利,20余项待批专利。
最近的新闻
在基板提升功率
2016年5月20日
出版物
2018
Y.王等。,“上通过低的穿透位错密度的硅衬底的AlGaInP LED的性能(TDD)锗缓冲层”,半导体科技亚博网站首页,第一卷。33。页。104004,2018。
L.他等。,“宽带无热波导和谐振器为数据通信和电信应用”,光子学研究亚搏娱乐网页版登陆,第一卷。6。页。987,2018。
J.王等。,“混合色散的鲁棒空腔孤子形成”,光子学研究亚搏娱乐网页版登陆,第一卷。6。页。647,2018。
l .张等。,“建立芯片上基于单个微谐振器光谱”,在2017年国际会议光学仪器及技术:微/纳米光子学:材料与器件,中国北京,2018,页。59。
J.王等。,“敏捷代基于微谐振器 - 频率梳的不带泵失谐和局部温度控制”,在激光谐振器,微谐振器,和波束控制XX,美国旧金山,2018,页。18。
郭Y.等。,“中红外中五种零色散波长的二倍频色散展平”,在纳米结构工程的八光子和声子属性,美国旧金山,2018,页。88。
L.他等。,“宽带无热波导和设备的数据通信和电信应用”,在硅光子XIII,美国旧金山,2018,页。64。
T. W.金,阿尔伯特,B. R.,Kimerling,L左右,米歇尔,J.,“关于上Ge的Si衬底虚拟的InGaP太阳能电池为新的太阳能转换”,应用物理学杂志,第一卷。123。页。085111,2018。
郭Y.等。,“锗微谐振器中二倍频程中红外频率梳的节能发电”,纳米光子学,第一卷。7。第1461年至1467年,2018。
Y.王等。,“高性能的AlGaInP发光二极管通过一个优越的品质集成在硅锗,绝缘体上”,光子学研究亚搏娱乐网页版登陆,第一卷。6。页。290,2018。
C. Monmeyran等。,“使用非非晶化氟离子共注入技术改进锗中供磷体的保留”,应用物理学杂志,第一卷。123。页。161524,2018。
D.牧师等。,“高级别活性TN +通过共注入和纳秒脉冲激光熔化应变锗的掺杂”,应用物理学杂志,第一卷。123。页。165101,2018。
D.李等。,“光谱分离微集中器组件为横向排列的多结光伏模块”,在激光和光电会议,加利福尼亚州圣何塞,2018,页。AW3O.3。
2017
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k·h·李等。,“硅衬底上高品质锗膜的异质外延光电子集成电路应用”,材料研究的亚搏娱乐网页版登陆,第一卷。32。第4025-4040,2017。
张良军,田,H.,刘,H.,李,G.,Kimerling,L.,和米歇尔,J.,“纳米粒子对集成硅槽波导的多路径捕获动力学”,在在光流控2017年第7届国际跨学科研讨会论文集,新加坡,2017,页。4407。
H.田,Kimerling,L. C.米歇尔,J.,李,G,和张,L.,“多径捕获纳米颗粒的动力学朝向集成波导具有高折射率对比”,旧金山,加利福尼亚州,美国,2017,页。100610P。
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美国保等。,“锗,绝缘体上的虚拟衬底为外延的InGaP”,半导体加工中的材料科亚博网站首页学,第一卷。58。第15至21,2017。
J.王等。,“在强窄带损耗的微谐振器中稳健地产生频率梳”,光子学研究亚搏娱乐网页版登陆,第一卷。五。页。552,2017。
B.王等。,“控制晶片上200毫米的Si的InGaP的弓由应变工程”,半导体科技亚博网站首页,第一卷。32。页。125013,2017。
J.王等。,“在强窄带损耗的微谐振器中稳健地产生频率梳”,光子学研究亚搏娱乐网页版登陆,第一卷。五。第552-556,2017。
L.他等。,“用于中红外应用的绝缘体上硅波导的损耗降低”,光学快报,第一卷。42。第3454 - 3457,2017。
M.杨等。,亚ps脉冲泵浦低色散Ge-on-Si波导中产生的中红外超连续谱,光学快报,第一卷。25。第16116 - 16122,2017。
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智能光子与光电集成电路六人,第一卷。10107,贝灵翰姆:Soc光学工程,2017,页。UNSP - 101070Y。
H.田,Kimerling,L. C.米歇尔,J.,李,G,和张,L.,“纳米颗粒的多径捕获动态朝着集成波导与高指数对比度”,在
微流体,生物MEMS和医疗微系统XV,第一卷。10061,贝灵翰姆:Soc光学工程,2017,页。UNSP - 100610P。
C. Monmeyran,克罗,I. F.,Gwilliam,R. M.,米歇尔,J.,Kimerling,L. C.,和瓦尔,A. M.,“在锗策略增加供体电活动性(光磁)电子材料:评论”,国际材料评审,第一卷。62。第334-347,2017。
H.田,Kimerling,L. C.米歇尔,J.,李,G,和张,L.,纳米粒子被困在一个集成的高指数反差缝隙波导上的动力学,在在生命科学光学大会亚博网站首页,圣迭戈,加利福尼亚州,2017,页。OtS1D.4。
2016
郭Y.等。,具有四个零色散波长的双层色散平坦波导,光学快报,第一卷。41。第4939-4942,2016。
Z.贾法里,章,L.,瓦尔,A. M.,Kimerling,L. C.,米歇尔,J.,和Zarifkar,A.,“参数空间探索多层硅波导色散工程从近红外到中红外”,光波技术杂志,第一卷。34。第3696 - 3702,2016。
B.王等。,“直接MOCVD磊晶的GaAsP的SiGe上的虚拟衬底,而不的SiGe生长”,晶体生长杂志的,第一卷。441。第78-83,2016。
C.宝等。,“在光通信系统中克尔频率梳的通气孤子的效应”,光学快报,第一卷。41。第1764年至1767年,2016。
k·h·李等。,“用重掺杂锗种子层降低锗/硅中的位错密度”,AIP进展,第一卷。6。页。025028,2016。
B. S.皮尔森,金默林,L. C.和米歇尔,J.,“锗光电探测器对非晶基材的电子光子集成”,在
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2016 IEEE第13届国际会议上IV族光子(GFP),纽约:IEEE,2016,第158-159。
M.杨等。,亚皮秒脉冲在低色散Ge-on-Si波导中产生中红外超连续谱,在
2016 IEEE第13届国际会议上IV族光子(GFP),纽约:IEEE,2016,第36-37。
郭Y.等。,“中红外克尔频率梳生成从4000至10000纳米的CMOS兼容的微腔锗”,在
2016激光与光电会议(cleo),纽约:IEEE,2016。
B.王等。,红色InGaP发光二极管外延生长在工程Ge-on-Si基板上,在
发光二极管:材料,器件和固态照明应用XX,第一卷。9768,贝灵翰姆:Soc光学工程,2016,页。97681J。
J.王等。,“具有强局域谱损耗的稳健生成克尔频率梳”,在
2016 IEEE第13届国际会议上IV族光子(GFP),纽约:IEEE,2016,第153-154。
2015
C.宝,张,L.,Kimerling,L. C.米歇尔,J.,和杨,C.,“孤子在八度跨度克尔频率梳生成呼吸诱发受激拉曼散射和自陡峭”,光学快报,第一卷。23。第18665-18670,2015。
L. Z.布罗德里克,毕,B. R.,皮尔逊,B. S.,Kimerling,L.C。,和Michel,J.,“设计为能量:频谱的建模,太阳能电池产生能量的温度和器件结构的依赖性”,太阳能材料和太阳能电池,第一卷。136。第48-63,2015。
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2014
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J.穆,Soref,R.,Kimerling,L. C.,和Michel,J.,“上硅氮化物结构中红外线间隙等离子体激元波导”,应用物理快报,第一卷。104。2014。
Y.蔡,余,W.,Kimerling,L左右,米歇尔,J.,硅上选择性外延生长锗的化学机械抛光,固体科学与技术杂志亚博网站首页,第一卷。3。第P5 - P9,2014。
L.章,瓦尔,A. M.,Kimerling,L. C.,和Michel,J.,“从基于综合锁模克尔频率梳两周期脉冲产生的色散平坦微小谐振器”,激光谐振器,微谐振器和波束控制XVI,第一卷。8960。2014。
2013
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H.林,Ogbuu,澳,刘,J.,张,L.,米歇尔,J.,胡,J.,“突破电光调制器的能量带宽限制:理论与设备设计”,光波技术杂志,第一卷。31。第4029-4036,2013。
l .张等。,“在色散平坦微谐振器中产生双周期脉冲和跨越八维的频率梳”,光学快报,第一卷。38。第5122-5125,2013。
J. P.歌手,林,P. -T。,KOOI,S. E.,Kimerling,L. C.,米歇尔,J.,和Thomas,E.L。,激光诱导热梯度直接书写热毛细管脱湿聚合物薄膜,先进材料,第一卷。25。第6100-6105,2013。
J.穆,陈,L.,李,X.,黄,W.-P。,Kimerling,L左右,米歇尔,J.,“混合纳米脊电浆极化波导”,应用物理快报,第一卷。103。2013。
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J.穆等。,“建立超亚波长光学锁存器”,应用物理快报,第一卷。103。2013。
J.穆等。,“设计和高透射率的金属 - 电介质紫外带通滤波器的制造”,应用物理快报,第一卷。102。2013。
R.卡马乔-Aguilera的,汉,Z.,蔡,Y.,Kimerling,L. C.,和Michel,J.,“直接带隙缩小在高掺杂锗中”,应用物理快报,第一卷。102。2013。
十王,Kimerling,L. C.米歇尔,J.,和刘,J.,“由锗薄膜的直接间隙跃迁获得的大的固有光学增益”,应用物理快报,第一卷。102。2013。
王X.等。,“n型拉伸应变Ge硅上的红外吸收”,光学快报,第一卷。38。第652-654,2013。
L. Z.布罗德里克,毕,B. R.,皮尔逊,B. S.,Kimerling,L.C。,和Michel,J.,“太阳光谱变化及其对聚光太阳能电池性能的影响”,高和低聚光系统对太阳能电力应用八,第一卷。8821。页。UNSP - 88210我,2013。
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2012
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盛,约翰逊,s.g.,布罗德里克,L. Z.,米歇尔,J.,金默林,L. C.,“用于薄膜硅太阳能电池的光捕获的集成光子结构”,应用物理快报,第一卷。100。2012。
K. A. McComber,段,X.,刘,J.,米歇尔,J.,和Kimerling,L. C.,“单结晶锗增长非晶硅”,新型功能材料,第一卷。22。第1049-1057,2012。
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张良军,林,Q.,阿加瓦尔,A. M.,Kimerling,L左右,米歇尔,J.,“透过可见至中红外线波长的二倍频程超连续体,在晶片上产生子周期脉冲”,2012激光与光电会议(cleo)。2012。
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Y.柴,卡马乔-Aguilera的,R.,贝塞特,J. T.,Kimerling,L. C.,和Michel,J.,高n型掺杂锗的掺杂剂增强扩散,四哥,Ge和相关化合物5:材料,加工和设备,第一卷。50。第263-266,2012。
R.卡马乔-Aguilera的,蔡,Y.,Kimerling,L. C.,和Michel,J.,“葛式硅无缓冲外延生长的光子器件”,四哥,Ge和相关化合物5:材料,加工和设备,第一卷。50。第469-473,2012。
2011
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2010
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K.-Y。涂等。,“硅RF-光子滤波器和下变频器”,光波技术杂志,第一卷。28。第3019-3028,2010。
十盛,刘,J.,科罗内尔,N.,阿加瓦尔,A. M.,米歇尔,J.,和Kimerling,L. C.,自组装多孔氧化铝与分布布喇格反射器的集成,IEEE光子学技术通讯,第一卷。22。第1394年至1396年,2010。
五Raghunathan,叶,W. N.,胡,J.,严原,T.,米歇尔,J.,和Kimerling,L. C.,“硅的无热操作波导:光谱,二阶和足迹依赖性”,光学快报,第一卷。18。第17631-17639,2010。
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