于尔根·米歇尔

  • 高级讲师
  • 材料研究实验室亚搏娱乐网页版登陆高级研究员
  • 博士,博士habil

光子材料

于尔根·米歇尔

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于尔根·米歇尔引线研究硅基光子材料和设备亚搏娱乐网页版登陆,以及先进的太阳能电池设计项目。他的主要焦点是目前片上WDM设备,基于Ge-高性能检测器和调制器,并与以实施基于CMOS芯片有源光子器件的目标基于Ge-激光器。

此前在1991年加入麻省理工学院,他在AT&T贝尔实验室技术人员的博士后会员,研究半导体材料缺陷反应和缺陷性。他在德国接受教育,获得了物理学在科隆大学文凭和他在帕德博恩大学博士学位和康复应用物理学。他已经发表了300篇多审过的科学论文,5周本书的章节,获得28项专利,20余项待批专利。

最近的新闻

在基板提升功率

材料加工中心的高级研究员于尔根·米切克正在通亚搏娱乐网页版登陆过发明一种利用锗的新型半导体芯片来改进光子和太阳能电池材料和器件。…

出版物

2018

Y.王等。“上通过低的穿透位错密度的硅衬底的AlGaInP LED的性能(TDD)锗缓冲层”半导体科技亚博网站首页第一卷。33页。1040042018
L.他等。“宽带无热波导和谐振器为数据通信和电信应用”光子学研究亚搏娱乐网页版登陆第一卷。6页。9872018
J.王等。“混合色散的鲁棒空腔孤子形成”光子学研究亚搏娱乐网页版登陆第一卷。6页。6472018
l .张等。“建立芯片上基于单个微谐振器光谱”2017年国际会议光学仪器及技术:微/纳米光子学:材料与器件中国北京2018页。59
J.王等。“敏捷代基于微谐振器 - 频率梳的不带泵失谐和局部温度控制”激光谐振器,微谐振器,和波束控制XX美国旧金山2018页。18
郭Y.等。“中红外中五种零色散波长的二倍频色散展平”纳米结构工程的八光子和声子属性美国旧金山2018页。88
L.他等。“宽带无热波导和设备的数据通信和电信应用”硅光子XIII美国旧金山2018页。64
T. W.金,阿尔伯特,B. R.,Kimerling,L左右,米歇尔,J.,“关于上Ge的Si衬底虚拟的InGaP太阳能电池为新的太阳能转换”应用物理学杂志第一卷。123页。0851112018
郭Y.等。“锗微谐振器中二倍频程中红外频率梳的节能发电”纳米光子学第一卷。71461年至1467年2018
Y.王等。“高性能的AlGaInP发光二极管通过一个优越的品质集成在硅锗,绝缘体上”光子学研究亚搏娱乐网页版登陆第一卷。6页。2902018
C. Monmeyran等。“使用非非晶化氟离子共注入技术改进锗中供磷体的保留”应用物理学杂志第一卷。123页。1615242018
D.牧师等。“高级别活性TN +通过共注入和纳秒脉冲激光熔化应变锗的掺杂”应用物理学杂志第一卷。123页。1651012018
D.李等。“光谱分离微集中器组件为横向排列的多结光伏模块”激光和光电会议加利福尼亚州圣何塞2018页。AW3O.3

2017

美国保等。“锗,绝缘体上的虚拟衬底为外延的InGaP”半导体加工中的材料科亚博网站首页学第一卷。7017-232017
k·h·李等。“硅衬底上高品质锗膜的异质外延光电子集成电路应用”材料研究的亚搏娱乐网页版登陆第一卷。324025-40402017
张良军,田,H.,刘,H.,李,G.,Kimerling,L.,和米歇尔,J.,“纳米粒子对集成硅槽波导的多路径捕获动力学”在光流控2017年第7届国际跨学科研讨会论文集新加坡2017页。4407
H.田,Kimerling,L. C.米歇尔,J.,李,G,和张,L.,“多径捕获纳米颗粒的动力学朝向集成波导具有高折射率对比”旧金山,加利福尼亚州,美国2017页。100610P
B.王等。200mm硅片上InGaP LEDs与CMOS的集成旧金山,加利福尼亚州,美国2017页。101070Y
美国保等。“锗,绝缘体上的虚拟衬底为外延的InGaP”半导体加工中的材料科亚博网站首页学第一卷。5815至212017
J.王等。“在强窄带损耗的微谐振器中稳健地产生频率梳”光子学研究亚搏娱乐网页版登陆第一卷。页。5522017
B.王等。“控制晶片上200毫米的Si的InGaP的弓由应变工程”半导体科技亚博网站首页第一卷。32页。1250132017
J.王等。“在强窄带损耗的微谐振器中稳健地产生频率梳”光子学研究亚搏娱乐网页版登陆第一卷。552-5562017
L.他等。“用于中红外应用的绝缘体上硅波导的损耗降低”光学快报第一卷。423454 - 34572017
M.杨等。亚ps脉冲泵浦低色散Ge-on-Si波导中产生的中红外超连续谱光学快报第一卷。2516116 - 161222017
B.王等。“的InGaP LED的集成与CMOS上200毫米硅晶片” 智能光子与光电集成电路六人第一卷。10107贝灵翰姆Soc光学工程2017页。UNSP - 101070Y
H.田,Kimerling,L. C.米歇尔,J.,李,G,和张,L.,“纳米颗粒的多径捕获动态朝着集成波导与高指数对比度” 微流体,生物MEMS和医疗微系统XV第一卷。10061贝灵翰姆Soc光学工程2017页。UNSP - 100610P
C. Monmeyran,克罗,I. F.,Gwilliam,R. M.,米歇尔,J.,Kimerling,L. C.,和瓦尔,A. M.,“在锗策略增加供体电活动性(光磁)电子材料:评论”国际材料评审第一卷。62334-3472017
H.田,Kimerling,L. C.米歇尔,J.,李,G,和张,L.,纳米粒子被困在一个集成的高指数反差缝隙波导上的动力学在生命科学光学大会亚博网站首页圣迭戈,加利福尼亚州2017页。OtS1D.4

2016

郭Y.等。具有四个零色散波长的双层色散平坦波导光学快报第一卷。414939-49422016
Z.贾法里,章,L.,瓦尔,A. M.,Kimerling,L. C.,米歇尔,J.,和Zarifkar,A.,“参数空间探索多层硅波导色散工程从近红外到中红外”光波技术杂志第一卷。343696 - 37022016
B.王等。“直接MOCVD磊晶的GaAsP的SiGe上的虚拟衬底,而不的SiGe生长”晶体生长杂志的第一卷。44178-832016
C.宝等。“在光通信系统中克尔频率梳的通气孤子的效应”光学快报第一卷。411764年至1767年2016
k·h·李等。“用重掺杂锗种子层降低锗/硅中的位错密度”AIP进展第一卷。6页。0250282016
B. S.皮尔森,金默林,L. C.和米歇尔,J.,“锗光电探测器对非晶基材的电子光子集成” 2016 IEEE第13届国际会议上IV族光子(GFP)纽约IEEE201620-21
L.他等。“低损耗波导SOI在中红外波长(4800纳米)使用二阶TE模式” 2016 IEEE第13届国际会议上IV族光子(GFP)纽约IEEE2016158-159
M.杨等。亚皮秒脉冲在低色散Ge-on-Si波导中产生中红外超连续谱 2016 IEEE第13届国际会议上IV族光子(GFP)纽约IEEE201636-37
郭Y.等。“中红外克尔频率梳生成从4000至10000纳米的CMOS兼容的微腔锗” 2016激光与光电会议(cleo)纽约IEEE2016
B.王等。红色InGaP发光二极管外延生长在工程Ge-on-Si基板上 发光二极管:材料,器件和固态照明应用XX第一卷。9768贝灵翰姆Soc光学工程2016页。97681J
J.王等。“具有强局域谱损耗的稳健生成克尔频率梳” 2016 IEEE第13届国际会议上IV族光子(GFP)纽约IEEE2016153-154

2015

C.宝,张,L.,Kimerling,L. C.米歇尔,J.,和杨,C.,“孤子在八度跨度克尔频率梳生成呼吸诱发受激拉曼散射和自陡峭”光学快报第一卷。2318665-186702015
L. Z.布罗德里克,毕,B. R.,皮尔逊,B. S.,Kimerling,L.C。,和Michel,J.,“设计为能量:频谱的建模,太阳能电池产生能量的温度和器件结构的依赖性”太阳能材料和太阳能电池第一卷。13648-632015
C.宝等。“增加的带宽与扁平且低色散在水平双槽硅波导”美国杂志B-光学物理光学学会的第一卷。3226-302015

2014

C.宝等。“在克尔频率梳生成非线性转换效率”光学快报第一卷。396126 - 61292014
L.章,瓦尔,A. M.,Kimerling,L. C.,和Michel,J.,“基于硅锗的非线性群IV光子学:从近红外到中红外”纳米光子学第一卷。3247-2682014
J.穆,Soref,R.,Kimerling,L. C.,和Michel,J.,“上硅氮化物结构中红外线间隙等离子体激元波导”应用物理快报第一卷。1042014
Y.蔡,余,W.,Kimerling,L左右,米歇尔,J.,硅上选择性外延生长锗的化学机械抛光固体科学与技术杂志亚博网站首页第一卷。3P5 - P92014
L.章,瓦尔,A. M.,Kimerling,L. C.,和Michel,J.,“从基于综合锁模克尔频率梳两周期脉冲产生的色散平坦微小谐振器”激光谐振器,微谐振器和波束控制XVI第一卷。89602014

2013

S. Grillanda等。“非热硅波导的制造后修整”光学快报第一卷。385450-54532013
H.林,Ogbuu,澳,刘,J.,张,L.,米歇尔,J.,胡,J.,“突破电光调制器的能量带宽限制:理论与设备设计”光波技术杂志第一卷。314029-40362013
l .张等。“在色散平坦微谐振器中产生双周期脉冲和跨越八维的频率梳”光学快报第一卷。385122-51252013
J. P.歌手,林,P. -T。,KOOI,S. E.,Kimerling,L. C.,米歇尔,J.,和Thomas,E.L。,激光诱导热梯度直接书写热毛细管脱湿聚合物薄膜先进材料第一卷。256100-61052013
J.穆,陈,L.,李,X.,黄,W.-P。,Kimerling,L左右,米歇尔,J.,“混合纳米脊电浆极化波导”应用物理快报第一卷。1032013
蔡Y.等。“散装和量子阱激光器锗结构的阈值电流行为分析”IEEE量子电子学选题期刊第一卷。192013
J.穆等。“建立超亚波长光学锁存器”应用物理快报第一卷。1032013
J.穆等。“设计和高透射率的金属 - 电介质紫外带通滤波器的制造”应用物理快报第一卷。1022013
R.卡马乔-Aguilera的,汉,Z.,蔡,Y.,Kimerling,L. C.,和Michel,J.,“直接带隙缩小在高掺杂锗中”应用物理快报第一卷。1022013
十王,Kimerling,L. C.米歇尔,J.,和刘,J.,“由锗薄膜的直接间隙跃迁获得的大的固有光学增益”应用物理快报第一卷。1022013
王X.等。“n型拉伸应变Ge硅上的红外吸收”光学快报第一卷。38652-6542013
L. Z.布罗德里克,毕,B. R.,皮尔逊,B. S.,Kimerling,L.C。,和Michel,J.,“太阳光谱变化及其对聚光太阳能电池性能的影响”高和低聚光系统对太阳能电力应用八第一卷。8821页。UNSP - 88210我2013
J.穆,Ragunathan,五张,L.,冈本,S.,Kimerling,L左右,米歇尔,J.,“芯片到芯片的光学互连系统的开发”2013 IEEE光纤互连会议116-1172013
L. C. Kimerling和米歇尔,J.,在Ge-上硅微光子集成平台2013

2012

l .张等。“片上倍频跨越超连续谱在纳米结构的硅波导使用超低脉冲能量”IEEE量子电子学选题期刊第一卷。181799 - 18062012
R. E.卡马乔-阿奎莱拉,蔡,贝塞特,J. T.,金柏林,L. C.,和米歇尔,J.,“在n型高活性载流子浓度,薄膜葛使用Δ-掺杂”光学材料快递第一卷。21462年至1469年2012
V. Raghunathan,Yaguee,J. L.,许,J.,米歇尔,J.,格里森,K. K.,和Kimerling,L. C.,高性能非热光子电路的共聚合物包层设计光学快报第一卷。2020808-208132012
刘,金柏林,L. C.和米歇尔,J.,“用于大规模电子-光子集成的单片Ge-on-Si激光器”半导体科技亚博网站首页第一卷。272012
Y.柴,卡马乔-Aguilera的,R.,贝塞特,J. T.,Kimerling,L. C.,和Michel,J.,“高磷掺杂的锗:掺杂剂扩散和建模”应用物理学杂志第一卷。1122012
十盛,胡,J.,米歇尔,J.,和Kimerling,L. C.,“光俘获限制在等离激元的太阳能电池:一种分析调查”光学快报第一卷。20A496 - A5012012
V. Raghunathan,严原,T.,米歇尔,J.,和Kimerling,L. C.,非热硅光子学中聚合物-介电双层的稳定性光学快报第一卷。2016059 - 160662012
R. E.卡马乔-Aguilera的等。“电泵浦激光锗”光学快报第一卷。2011316 - 113202012
B.王等。“光致发光量子效率和ERRE硅酸盐的能量转移(RE = Y,Yb)的薄膜”物理学报d -应用物理第一卷。452012
M. Stefancich等。“用于多单元CPV系统的单元素分光太阳能聚光器”光学快报第一卷。209004-90182012
盛,约翰逊,s.g.,布罗德里克,L. Z.,米歇尔,J.,金默林,L. C.,“用于薄膜硅太阳能电池的光捕获的集成光子结构”应用物理快报第一卷。1002012
K. A. McComber,段,X.,刘,J.,米歇尔,J.,和Kimerling,L. C.,“单结晶锗增长非晶硅”新型功能材料第一卷。221049-10572012
J.刘等。“上Ge的Si光电”固体薄膜第一卷。5203354-33602012
P. T.林等。“从稀土工程宽带和各向异性光致发光发射掺杂碲酸盐薄膜光子晶体”光学快报第一卷。202124年至2135年2012
张良军,林,Q.,阿加瓦尔,A. M.,Kimerling,L左右,米歇尔,J.,“透过可见至中红外线波长的二倍频程超连续体,在晶片上产生子周期脉冲”2012激光与光电会议(cleo)2012
G.库里安等。“通过实际应用工作负荷纳米光子众核处理器系统的跨层能源和绩效评估”2012 IEEE第26届国际并行和分布式处理研讨会(ipdps)1117至30年2012
Y.柴,卡马乔-Aguilera的,R.,贝塞特,J. T.,Kimerling,L. C.,和Michel,J.,高n型掺杂锗的掺杂剂增强扩散四哥,Ge和相关化合物5:材料,加工和设备第一卷。50263-2662012
R.卡马乔-Aguilera的,蔡,Y.,Kimerling,L. C.,和Michel,J.,“葛式硅无缓冲外延生长的光子器件”四哥,Ge和相关化合物5:材料,加工和设备第一卷。50469-4732012

2011

D.安,Kimerling,L. C.,和Michel,J.,“高效倏逝波耦合对硅绝缘体上/锗,绝缘体上的基板为波导集成薄膜硅/锗光电探测器条件”应用物理学杂志第一卷。1102011
十盛等。“设计和用于在LED的光提取增强高折射率对比的自组装纹理制造”光学快报第一卷。19A701 - A7092011
X.盛,强,S. G.,米歇尔,J.,和Kimerling,L. C.,“表面纹理用于薄膜硅太阳能电池的基于优化的设计”光学快报第一卷。19A841——A8502011
十盛,刘,J.,Kozinsky,一,阿加瓦尔,A. M.,米歇尔,J.,和Kimerling,L. C.,“设计和轻捕捉结构的薄膜硅太阳能电池的非刻蚀制造”先进材料第一卷。23页。843 - +2011
L. C. Kimerling和米歇尔,J.,“单片集成微光的硅平台上”Ulsi工艺集成第一卷。413-132011
J.米歇尔,刘,金尔林,L. C.,卡马乔-阿奎莱拉,R.,贝塞特,J. T.,和蔡,Y.,“晶片上应用的矽锗雷射”2011激光与光电会议(cleo)2011

2010

D.安,Kimerling,L. C.,和Michel,J.,“对于波导集成的第四组光电探测器的倏逝耦合装置设计”光波技术杂志第一卷。283387-33942010
K.-Y。涂等。“硅RF-光子滤波器和下变频器”光波技术杂志第一卷。283019-30282010
十盛,刘,J.,科罗内尔,N.,阿加瓦尔,A. M.,米歇尔,J.,和Kimerling,L. C.,自组装多孔氧化铝与分布布喇格反射器的集成IEEE光子学技术通讯第一卷。221394年至1396年2010
五Raghunathan,叶,W. N.,胡,J.,严原,T.,米歇尔,J.,和Kimerling,L. C.,“硅的无热操作波导:光谱,二阶和足迹依赖性”光学快报第一卷。1817631-176392010
J.米歇尔,刘,J.,和Kimerling,L. C.,“高性能锗的硅光电探测器”自然光子学第一卷。4527-5342010
D.安德伍德等。“新的光学技术,低质量的智能触发和读出”杂志仪表第一卷。2010
J.刘,孙,X.,卡马乔 - 阿奎莱拉,R.,Kimerling,L左右,米歇尔,J.," Ge-on-Si激光在室温下工作"光学快报第一卷。35679-6812010
X.孙,刘,J.,金尔灵,L. C.,米歇尔,J.,“走向锗激光综合硅光子学”IEEE量子电子学选题期刊第一卷。16124-1312010
K. A. McComber, Liu, J., Michel, J.,和Kimerling, L. C.,“低温锗超高真空化学汽相淀积进行后端光子器件集成”2010第七届IEEE国际会议IV族光子(GFP)57-592010
刘,孙,阿奎莱拉,蔡,杨,金尔灵,米歇尔,“单片上Ge的Si激光器用于集成光子”2010第七届IEEE国际会议IV族光子(GFP)1 - 32010
刘,孙,阿奎莱拉,蔡,杨,金尔灵,米歇尔,室温下Ge-on-Si的光学增益和激光发射2010
G.库里安等。ATAC:1000核心缓存一致处理器带有片上光网络2010
J.刘,孙,X.,卡马乔 - 阿奎莱拉,R.,Kimerling,L左右,米歇尔,J.,“集成光子学的带工程Ge-on-Si激光器”四哥,Ge和相关化合物4:材料,加工和设备第一卷。33539-5432010
王,B.,周,Z.,米歇尔,J.,和金尔林,L. C.,“在980nm的光激发的敏化直接示范铒镱硅酸盐”2010第七届IEEE国际会议IV族光子(GFP)308 - 3102010
十盛,刘,J.,Kozinsky,一,阿加瓦尔,A. M.,米歇尔,J.,和Kimerling,L. C.,“高效的光捕获结构的薄膜硅太阳能电池”第35届IEEE光伏专家会议1575年至1576年2010

2009

孙,程,J.,米歇尔,J.,金尔灵,L. C.,“使用镶嵌工艺透明非晶硅沟道波导和高Q谐振器”光学快报第一卷。342378至80年2009
X.孙,刘,J.,金尔灵,L. C.,米歇尔,J.,n型张拉应变锗-硅的直接间隙光致发光应用物理快报第一卷。952009
M. S. Rasras等。“使用可调微波光子陷波滤波器的示范低损耗硅谐振环”光波技术杂志第一卷。272105 - 21102009
J.刘,孙,X.,Kimerling,L左右,米歇尔,J.,“直接隙的Ge光学增益在Si在室温下”光学快报第一卷。341738年至1740年2009
X.孙,刘,J.,金尔灵,L. C.,米歇尔,J.,“从上Ge的Si发光二极管的室温直接带隙electroluminesence”光学快报第一卷。341298至00年2009
J.刘等。“在锗高效以上带隙的发光”中国光学信第一卷。7271-2732009
R.太阳等。“与氮化硅透明非晶硅通道波导intercladding层”应用物理快报第一卷。942009
S. Saini, Hong, C. -Y。,Bernardis, S., Pfaff, N., Kimerling, L. C., and Michel, J.,“光泵放大器的混合波导”应用物理快报第一卷。942009
安东,洪,银,金尔灵,林岭南,和米歇尔,J.,单片波导集成Si光电探测器的耦合效率应用物理快报第一卷。942009
盛,刘,J.,米歇尔,J.,阿加瓦尔,A. M.,金柏林,L. C.,“低成本,确定的准周期光子结构FOR灯光诱杀薄膜硅太阳能电池” 2009年第34届IEEE光伏专家会议,1-3卷20092429年至2432年
L. C. Kimerling等。富硅电介质为有源光电器件2009
X.孙,刘,J.,金尔灵,L. C.,米歇尔,J.,锗硅上激光电子,光子集成2009
J.柳,比尔斯,M.A.,米歇尔,J.,和Kimerling,L. C.,“点亮硅微处理器的未来” 高级栅堆叠,源/漏极和沟道工程的Si基CMOS 5:新材料,工艺和设备第一卷。19200917-28

2008

S.赛尼,香,C. -Y。,普法夫,N.,Kimerling,L. C.,和Michel,J.,“部分禁闭光子晶体波导”应用物理快报第一卷。932008
R.太阳等。“紫外线处理氢化氮化硅的氢演化理论模型”应用物理学杂志第一卷。1042008
R.太阳等。“阻抗匹配致密高折射率对比电路垂直光波导耦合器”光学快报第一卷。1611682-116902008
J.刘等。“波导集成,超低能量锗硅电吸收调制”自然光子学第一卷。2433 - 4372008
叶文宁,米歇尔,J.,和金柏林,L. C.,“非热能高折射率对比波导设计”IEEE光子学技术通讯第一卷。20885-8872008
X.孙,刘,J.,金尔灵,L. C.,米歇尔,J.,“薄膜锗在Si上的光漂白” 四哥,Ge和相关化合物3:材料,加工和设备第一卷。162008881-889
W. N.叶,米歇尔,J.,Kimerling,L左右,Eldada,L.,聚合物包覆的非热敏高指数对比波导 光电子集成电路X第一卷。68972008U103 - U110
W. N. Ye, Sun, R., Michel, J., Eldada, L., Pant, D., Kimerling, L. C.,在高折射率对比波导热光学补偿2008
J.刘,孙,X.,Becla,P.,Kimerling,L左右,米歇尔,J.,迈向Ge基激光的CMOS应用2008
M. A.比尔斯等。“处理流程创新在CMOS光子器件集成 - 艺术。不。689804” 硅光子㈢第一卷。6898200889804-89804
J.刘等。超低能量,对SOI锗硅集成电吸收调制器2008

2007

R.太阳等。水平单槽和多槽波导:在lambda=1550 nm处的光传输光学快报第一卷。1517967 - 179722007
D. D.大炮等。用超高真空化学气相沉积法在硅衬底上外延生长富锗硅锗薄膜应用物理快报第一卷。912007
J.刘等。n型锗作为硅单片激光集成的增益介质光学快报第一卷。1511272-112772007
n - n。冯,孙,R.,米歇尔,J.,和金柏林,L. C.,“低损耗紧凑型开槽波导偏振旋转器和变压器”光学快报第一卷。322131 - 21332007
n - n。丰等。“用于薄膜晶体硅太阳能电池的高效光捕获结构的设计”IEEE汇刊上的电子器件第一卷。541926年至1933年2007
M.希尔图宁,德尔黑人,L.,丰,N.-N。,Kimerling,L. C.,和Michel,J.,多频光传输非周期分形波导结构的建模光波技术杂志第一卷。251841-18472007
n - n。冯,孙,R.,Kimerling,L左右,米歇尔,J.,“无损条到狭缝波导变压器”光学快报第一卷。321250 - 12522007
R.太阳等。高性能非对称梯度折射率耦合器,集成透镜,用于高折射率波导应用物理快报第一卷。902007
D.安等。“高性能,波导集成葛光电探测器”光学快报第一卷。153916-39212007
J.柳,潘,D.,Jongthammanurak,S.,和田,K.,Kimerling,L. C.,和Michel,J.,“SOI平台上单片集成GeSi电吸收调制器和光电探测器的设计”光学快报第一卷。15623 - 6282007
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