弗朗西丝M.罗斯

  • 艾伦·理查兹海燕教授材料科学与工程亚博网站首页
  • 荣誉文学士学位。剑桥大学(数学部分IA,自然科学部分IB,物理部分II)亚博网站首页
  • 剑桥大学材料科学与冶金博士亚博网站首页

电化学;自组装;半导体;表面,界面和薄膜

弗朗西丝M.罗斯

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建立具有原子水平精度的功能纳米结构需要在纳米尺度上对材料生长和自组装物理的详细理解。弗朗西丝·罗斯用透射电子显微镜观察晶体的生长和反应,用扫描隧道显微镜测量纳米材料的特性。这些显微技术帮助她的团队探索纳米晶体在石墨烯、电化学沉积纳米结构和催化生长纳米线上的生长机制。弗朗西丝对显微镜仪器的不断进步感到兴奋,这为未来的实验提供了有趣的机会。

最近的新闻

2018天的材料

材料为期一天的研讨会和海报会议
2018年10月10日
克雷斯吉礼堂今年的年度MIT MRL材料为期一天的研讨会将在周三举行,2018年10月10日,在克雷斯吉礼堂从上午8:30至3:30此次研讨会将重点imaging- ...

出版物

2020

W.雷et al。,“双金属Pt基纳米支链结构作为高活性且稳定的氧还原和甲醇氧化双官能催化剂的一般策略”,纳米研究亚搏娱乐网页版登陆施普林格科学与商业亚博网站首页媒体公司,2020

2019

J.克莱恩et al。,“衬底诱导的能带尾态的二硫化钼上的电子和光学性质的影响”,应用物理快报,第一卷。115页。261603,2019

2018

M. R. Hauwilleret al。,“在溶液生长纳米枝晶形成的动力学原位液体池电镜下可见通”,纳米快报,第一卷。186427-6433,2018
P. M. Vereecken, Radisic, A.和Ross, F. M.,“Cu电沉积对Ru的微分抑制:电化学和实时TEM联合研究”,作者:电化学学会,第一卷。166页。D3129-D3135,2018
s . w . Cheeet al。,“Ge量子点的定向自组装利用聚焦Si2的+离子束图案化”,科学报告,第一卷。82018
x周et al。,“跨越晶界电输运石墨烯单层对SiC(0 0 0(1)过巴)”,二维材料,第一卷。52018
J. H. Park, Schneider, N. M., Steingart, D. A., Deligianni, H., Kodambaka, S., and Ross, F. M.,“生长前沿演进的控制的Bi添加剂ZnAu电沉积过程中”,纳米快报,第一卷。181093-1098,2018
f·m·罗斯“在材料反应的液体细胞电子显微镜提高量化”,美国化学学会论文摘要,第一卷。2562018
T.古普塔,施耐德,N. M.,公园,J. H.,Steingart,D.,和Ross,F. M.,“在液体细胞透射电子显微镜空间依赖剂量率”,纳米级,第一卷。107702 - 7710,2018

2017年

A. M. Lord, Ramasse, Q. M., Kepaptsoglou, D. M., Periwal, P., Ross, F. M., and Wilks, S. P.,肖特基和欧姆金纳米催化剂对氧化锌纳米线的稳定性,纳米快报,第一卷。176626 - 6636,2017年
J. H.园Steingart,D. A.,Kodambaka,S.,和Ross,F. M.,“电化学电子束光刻:写,读和擦除按需金属纳米晶体”,亚博网站首页科学的进步,第一卷。3.2017年
施耐德,帕克,J. H.,格罗根,J. M.,斯坦加特,D. A.,鲍,H. H.,罗斯,F. M.,“电沉积过程中界面形态的纳米级进化”,NATURE COMMUNICATIONS,第一卷。82017年
S. -H。裴et al。,“揭示用于形成晶片级、单畴石墨烯的外延石墨烯中的载流子输运机制”,美国国家科学院院刊亚博网站首页,第一卷。1144082 - 4086,2017年
S. -H。裴et al。,“揭示用于形成晶片级、单畴石墨烯的外延石墨烯中的载流子输运机制”,美国国家科学院院刊亚博网站首页,第一卷。1144082 - 4086,2017年

2016

F. M. Ross, Wang, C.和de Jonge, N.,"液体中样品和过程的透射电子显微镜",MRS公告,第一卷。41791-799,2016
D.布松et al。,“接口动力学和晶体相的开关在GaAs中的纳米线”,自然,第一卷。531页。317+,2016
F. Panciera,诺顿,M. M.,Alam的,S. B.,霍夫曼,S.,Molhave,K.,和Ross,F. M.,“通过催化剂液滴的电场诱导的变形控制纳米线生长”,自然通讯,第一卷。72016
N. M.施耐德,公园,J. H.,诺顿,M. M.,罗斯,F.M。,和巴乌,H. H.,“在原位电子显微术中对演化界面的自动分析”,先进的结构和化学成像技术,第一卷。22016
Y.-C。周,Panciera,F.,路透,M. C.,施塔赫,E. A.,和Ross,F. M.,纳米线在环境透射电子显微镜下的生长动力学,化学通讯,第一卷。525686-5689,2016

2015年

S. B. Alam, Panciera, F., Hansen, O., Molhave, K., and Ross, F. M.,“通过控制催化剂迁移来创建新的VLS硅纳米线接触几何图形”,纳米快报,第一卷。156535 - 6541,2015年
c - y。闻,路透,M. C.,苏,D.,施塔赫,E. A.,和Ross,F. M.,“应变在硅/锗/ Si的异质结轴向超薄纳米线Ge层的稳定性和”,纳米快报,第一卷。151654年至1659年,2015年
厘米。王辽,H.-G。,和罗斯,F. M.,“在通过电子显微镜的液体材料的方法的观察”,MRS公告,第一卷。4046-52,2015年
f·m·罗斯《液体细胞电子显微镜的机遇与挑战》,亚博网站首页,第一卷。3502015年
A. D. Gamalski,Tersoff,J.,Kodambaka,S.,扎哈罗夫,D.N。,罗斯,F.M。,和施塔赫,E. A.,“在控制戈刻面的纳米线表面钝化的作用”,纳米快报,第一卷。158211-8216,2015年
J. H.公园et al。,“电子束诱导的Au纳米晶体生长动力学的控制通过溶液化学”,纳米快报,第一卷。155314-5320,2015年
F. Pancieraet al。,“使用顺序催化剂反应中的纳米线的纳米结构的合成”,自然材料,第一卷。14页。820+,2015年
S. W.长官,普拉特,S. H.,Hattar,K.,杜奎特,D.,罗斯,F.M。,和赫尔,R.,“使用液体细胞透射电子显微镜研究局部腐蚀”,化学通讯,第一卷。51168 - 171,2015年

2014

施耐德,诺顿,M. M.,孟德尔,B. J.,格罗根,J. M.,罗斯,F. M.,鲍,H. H.,“电子与水的相互作用及液体池电子显微镜的启示”,物理化学杂志C对,第一卷。11822373 - 22382,2014
M.沙希德Yesibolati,N.,路透,M. C.,罗斯,F.M。,和Alshareef,H. N.,“层 - 层组装石墨烯涂覆的孔SnO 2上的球体作为阳极为先进的锂离子电池”,作者:动力源,第一卷。263239 - 245,2014
K. W.施瓦茨,Tersoff,J.,Kodambaka,S.,和Ross,F. M.,“跳的Catalyst动力学纳米线生长”,物理评论快报,第一卷。1132014
N. Yesibolatiet al。,“通过原子层沉积的HfO 2的SnO2阳极表面钝化提高锂离子电池的性能”,,第一卷。102849年至2858年,2014
Y.-C。周,Hillerich,K.,Tersoff,J.,路透,M. C.,迪克,K. A.,和Ross,F. M.,“原子级变异和III-V纳米线生长动力学的控制”,亚博网站首页,第一卷。343281 - 284,2014
J. M.格罗根,施耐德,N. M.,罗斯,F. M.,鲍,H. H.,电子束诱导液体中气泡和图案的形成,纳米快报,第一卷。14359-364,2014
邓海杰先生,邵先生,雷迪西奇先生,A.,罗伊特先生,C.,罗斯先生,F. M.,“用电子束对铜进行电化学沉积”,APL材料,第一卷。22014
B. J. Kim, Tersoff, J., Kodambaka, S., Jang, J. -S.。, Stach, E. A.和Ross, F. M.,“催化剂粗化和硅纳米线形成中的金迁移”,纳米快报,第一卷。144554 - 4559,2014
N. M.施耐德et al。,电化学沉积、枝晶生长和蚀刻的原位电子显微镜研究,杂志ASME传热,交易的,第一卷。1362014
S. W.长官,杜奎特,D.J.,罗斯,F.M。,和赫尔,R.,“在Al薄膜点蚀发作之前亚稳态结构如使用液体池透射电镜观察”,显微镜和显微分析,第一卷。20462-468,2014

2013

希列里希,狄克,金,文,c -Y。,Reuter, M. C., Kodambaka, S., and Ross, F. M.,《III-V/ IV杂化组异质结构纳米线的形态控制策略》,纳米快报,第一卷。13903-908,2013
M. M. Khayyat,Wacaser,B. A.,路透,M. C.,罗斯,F. M.,Sadana表示,D.K。,和Chen,T.-C。,含铝硅纳米线的纳米尺度化学模板,纳米技术,第一卷。242013
S. W.长官,卡姆勒,M.,巴拉苏布兰马尼安,P.,路透,M. C.,赫尔,R.,和Ross,F. M.,“微观结构的变化与聚焦的离子束镓,Si和Au中的诱导通过图案化硅”,超高倍显微,第一卷。127126-131,2013
F. M.罗斯,Heijer,书房,威廉森,M. J.,和Steingart,D.,相关的光学显微镜和电子显微镜用于测量电化学沉积过程中的微观结构演变,第一卷。1792013,179-182
Y.-C。周,闻,C. -Y。,路透,M. C.,苏,D.,施塔赫,E. A.,和Ross,F. M.,“硅纳米线的原位生长利用透射电子显微镜”,STATE-OF-THE-ART方案的化合物半导体低维纳米级电子和光子器件6(SOTAPOCS)55 -AND-,2013,第一卷。58,105 - 111

2012

B. J.金,闻,C. -Y。,Tersoff,J.,路透,M. C.,施塔赫,E. A.,和Ross,F. M.,“成长之路超低温核戈从金”,纳米快报,第一卷。125867 - 5872,2012
c . Kallesoeet al。,“原位透射电镜创建和纳米线器件的电气特性”,纳米快报,第一卷。122965至2970年,2012
Y.-C。周,闻,C. -Y。,路透,M. C.,苏,D.,施塔赫,E. A.,和Ross,F. M.,银-金合金催化剂控制硅/锗纳米线和异质结的生长,ACS NANO,第一卷。66407 - 6415,2012
J.金,红,A. J.,罗,J.-W。,新光,B.,罗斯,F. M.,和Sadana表示,D. K.,三维a-Si:H太阳能电池在自组装纳米球图案的玻璃纳米锥阵列上,ACS NANO,第一卷。6265-271,2012
S. -H。籍,汉农,J. B.,特龙普,R. M.,Perebeinos,V.,Tersoff,J.,和Ross,F. M.,“在外延石墨烯原子尺度运输”,自然材料,第一卷。11114 - 119,2012
J.金,红,A. J.,罗,J.-W。,新光,B.,罗斯,F. M.,和Sadana表示,D. K.,三维a-Si:H太阳能电池在自组装纳米球图案的玻璃纳米锥阵列上,ACS的纳米,第一卷。6265-271,2012
J.金,红,A. J.,罗,J.-W。,新光,B.,罗斯,F. M.,和Sadana表示,D. K.,三维a-Si:H太阳能电池在自组装纳米球图案的玻璃纳米锥阵列上,ACS的纳米,第一卷。6265-271,2012
R. Haight, Ross, F. M.和Hannon, J.,半导体奈米结构表征仪器与技术手册简介,第一卷。1-22012,页。XXI-XXIV
S. Kodambaka和Ross,F. M.,透射电子显微镜和半导体纳米结构的超高真空透射电子显微镜,第一卷。1-22012,43 - 88

2011

P. A.贝内特,他,Z.,史密斯,D。J.,和罗斯,F. M.,“内源性硅化物纳米线:综述”,固体薄膜,第一卷。5198434-8440,2011
N.德·容格和罗斯,F. M.,“液体标本的电子显微镜检查”,自然纳米技术,第一卷。6695-704,2011
P. A.贝内特·史密斯,D。J.,他,Z.,路透社,M. C.,埃利斯,A W.,和罗斯,F. M.,“原位使用超高真空透射电子显微镜在Si纳米线CoSi2薄膜的生长endotaxial(110)的观察”,纳米技术,第一卷。222011
c - y。温家宝et al。,“周期性地改变生长界面中的Si,Ge中的形态,以及GaP纳米线”,物理评论快报,第一卷。1072011
施瓦兹,特索夫,J.,小坂,S.,周,Y. -C.。和Ross, F. M.,“在纳米线生长几何不稳定性”,物理评论快报,第一卷。1072011

2010

C. Kallesoe, Wen, C. -Y。,Molhave, K., Boggild, P., and Ross, F. M.,“采用热悬臂原位透射电镜当地硅纳米线生长动力学的测量”,,第一卷。6二○五八年至2064年,2010
c - y。温,特索夫,J.,罗伊特,M. C.,斯塔克,E. A.,罗斯,F. M.,“台阶流动动力学在纳米线生长”,物理评论快报,第一卷。1052010
f·m·罗斯“通过控制实时生长研究纳米线结构”,关于物理学进展的报告,第一卷。732010
p . Chaudhariet al。,从铝硅共晶熔体在600℃下生长的异质外延硅薄膜,固体薄膜,第一卷。5185368 - 5371,2010
c - y。温,罗伊特,m.c.,特索夫,J.,斯塔克,e.a.,罗斯,f.m.,“结构,生长动力学,并礁流量铜催化硅纳米线的气 - 固 - 固相生长时”,纳米快报,第一卷。10514 - 519,2010
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F. M.罗斯,闻,C. -Y。,Kodambaka,S.,Wacaser,B. A.,路透,M. C.,和施塔赫,E. A.,由活性金属催化剂制备的硅和锗纳米线的生长和表征,哲学杂志,第一卷。902807 - 2816,2010
F. M.罗斯,闻,C. -Y。,Kodambaka,S.,Wacaser,B. A.,路透,M. C.,和施塔赫,E. A.,由活性金属催化剂制备的硅和锗纳米线的生长和表征,哲学杂志,第一卷。904769-4778,2010
c - y。温,罗伊特,m.c.,特索夫,J.,斯塔克,e.a.,罗斯,f.m.,“制造和突然硅锗异质纳米线结构的属性”,SIGE, GE和相关化合物4:材料,加工和设备,2010,第一卷。33,671-680

2009年

B. A. Wacaseret al。,铝种子外延硅纳米线的生长体系、结构和掺杂,纳米快报,第一卷。93296 - 3301,2009年
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c - y。温家宝et al。,“在硅锗纳米线组成上突然轴向异质结的形成”,亚博网站首页,第一卷。3261247年至1250年,2009年
小田坂,Tersoff, J., Wen, C. -Y。,Reuter, M. C., Stach, E. A., and Ross, F. M.,“催化剂组合物对硅纳米线生长动力学”,显微镜和显微分析,第一卷。151226-1227,2009年
f·m·罗斯“纳米线带来以双面缺陷”,自然纳米技术,第一卷。417-18,2009年
A. Portavoce,卡姆勒,M.,赫尔,R.,路透,M. C.,COPEL,M.,和Ross,F. M.,“纳米结构的生长的局部改善的表面反应性”,半导体加工中的材料科亚博网站首页学,第一卷。1225-30,2009年
S. Kodambaka, Tersoff, J., Reuter, M. C., and Ross, F. M.,“Si和Ge纳米线的生长动力学”,量子点,粒子,纳米团簇VI,2009年,第一卷。7224

2008年

C. Wiethoff,罗斯,F. M.,COPEL,M.,冯Hoegen酒店,M. H. - ,和Heringdorf,F. -J。M.祖,气-液-固外延生长的硅纳米线表面锯齿状切面的金稳定和复盖,纳米快报,第一卷。83065-3068,2008年
R.赫尔et al。,“合成和外延量子点功能化纳米结构的纳米电子架构”,半导体加工中的材料科亚博网站首页学,第一卷。11160-168,2008年
B. J. Kim, Tersoff, J., Kodambaka, S., Reuter, M. C., Stach, E. A., and Ross, F. M.,“纳米级气 - 液 - 固生长观察个别核活动的动力学”,亚博网站首页,第一卷。3221070至73年,2008年
K. A.迪克,Deppert,K.,萨缪尔,L.,瓦伦贝里,R.,和Ross,F. M.,“通过粒子和衬底化学修饰控制缝隙和砷化镓纳米线的形貌”,纳米快报,第一卷。84087 - 4091,2008年
C.郎,罗斯,F.M。,和科凯恩,D.J。H.,“硅中的形态学转变中的Ge封盖/硅nanoislands”,作者计算和理论纳米科学亚博网站首页,第一卷。5286-289,2008年
M. Gherasimova, R. Hull, Reuter, M. C.和Ross, F. M.,“图案电平的组件在Si Ge量子点用聚焦离子束模板”,应用物理快报,第一卷。932008年
A. Portavoce,赫尔,R.,路透,M. C.,COPEL,M.,和Ross,F. M.,用局部修饰表面活性控制硅纳米结构,应用物理快报,第一卷。922008年
盖,夏尔马,R.和罗斯,F. M.,“环境(S)的反应条件下的气体 - 液体 - 固体相互作用的TEM研究”,MRS公告,第一卷。33107-114,2008年

2007年

S. Kodambaka, Tersoff, J., Reuter, M. C., and Ross, F. M.,“锗纳米线生长低于共晶温度”,亚博网站首页,第一卷。316729-732,2007年
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A. Portavoce,赫尔,R.,路透,M. C.,和Ross,F. M.,“单量子的纳米级控制点成核通过聚焦离子束注入”,物理评论B,第一卷。762007年
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f·m·罗斯半导体纳米线与量子点生长的动态电子显微镜,在无机,有机和生物晶体生长的观点:从基础到应用,2007年,第一卷。916,363-376

2006年

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S. Kodambaka, Hannon, J. B., Tromp, R. M., and Ross, F. M.,“由氧的Si纳米线生长的控制”,纳米快报,第一卷。61292 - 1296,2006年
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C. Lang, Kodambaka, S., Ross, F. M., and Cockayne, D. J. H.,“Si封盖过程中,GeSi/Si(001)岛状收缩的实时观察”,物理评论快报,第一卷。972006年
A.拉迪希奇,罗斯,F.M。,和Searson,P.C。,“在原位铜的个人岛电的生长动力学的研究”,物理化学杂志B的,第一卷。1107862 - 7868,2006年
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M.卡姆勒,Chidambarrao,D.,施瓦茨,K. W.,黑色,C. T.,和Ross,F. M.,“由在空间局部应力场控制的位错成核”,应用物理快报,第一卷。872005年
F. M.罗斯,Tersoff,J.,Kodambaka,S.,和路透,M. C.,“生长和硅纳米线的表面结构在实时观察在电子显微镜”,半导体材料的显微,2005年,第一卷。107,283-286

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F. M.罗斯,卡姆勒,M.,路透,M. C.和赫尔,R.,“自组装岛形核在图案化基底上的原位观察”,哲学杂志,第一卷。842687年至2697年,2004年
A. Portavoce,卡姆勒,M.,赫尔,R.,路透,M. C.,COPEL,M.,和Ross,F. M.,表面活性剂介导的超高真空化学气相沉积在Si(001)上的Ge岛生长动力学,物理评论B,第一卷。702004年
F. M.罗斯,卡姆勒,M.,沃尔什,M. E.,和路透,M. C.,《Ge岛成核在台面上的原位反射电镜观察》,显微镜和显微分析,第一卷。10105 - 111,2004年

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2002年

V.德里克,马特尔,R.,Radosvljevic,M.,罗斯,F.M。,和Avouris,P.,“有序单壁碳纳米管网状的不含催化剂的增长”,纳米快报,第一卷。21043 - 1046,2002年
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