金吉焕

  • 机械工程副教授
  • 材料科学与工程副教授亚博网站首页
  • 加州大学洛杉矶分校材料科学与工程博士亚博网站首页
  • M、 首尔国立大学材料科学与工程学士亚博网站首页
  • B、 弘毅大学材料科学与工程学士亚博网站首页

电子材料;能量;制造;材料加工;材料力学行为;纳米技术;纳米力学;相变;光子材料;半导体;表面、界面和薄膜;热力学

金吉焕

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金教授的团队专注于电子/光子/能量纳米技术应用。

该集团目前正在开发石墨烯层转移技术它在单晶石墨烯上提供高质量单晶半导体薄膜的无限生长和转移。Kim教授的团队一直在研究在一般材料系统中对石墨烯外延的无缺陷单晶薄膜进行van der Waals外延的方法,并研究石墨烯外延层可重复和精确剥离的力学。该小组的重点是基于这种基于石墨烯的层转移技术,以较低的制造成本制造高性能的电子/光子/光伏器件。基于他们在范德瓦尔斯外延技术方面的专业知识,金教授的团队开发了制造方法单晶二维材料例如石墨烯和tmdc,用于非常灵活的无机电子/光子器件。

小组的另一个重点是neurmorphic计算开发了高开关比、均匀电阻RAM阵列,实现了认知计算功能。

探索高效、低成本的纳米技术光电也是金教授团队的关键研究课题之一。该小组目前的亚搏娱乐网页版登陆研究兴趣如下:i)通过构建高长宽比的三维太阳能电池来提高效率的几何修饰;ii)通过等离子金纳米点来实现碳基透明电极的工作功能工程;iii)有机-无机杂化的整体集成。

金吉焕于2015年9月加入机械工程学院。他于2016年2月加入材料科学与工程系,担任联合教员。在麻省理工学院之前,Kim在亚搏娱乐网页版登陆亚博网站首页IBM的沃森研究中心亚搏娱乐网页版登陆自2008年起,从事光伏、二维材料、石墨烯和先亚搏娱乐网页版登陆进CMOS器件的研究。他被命名为发明家大师国际商用机器公司他的创造力非常丰富,五年内申请了100多项专利。金的突破性贡献包括:演示如何从碳化硅基板上剥离大面积单晶石墨烯,使昂贵的基板得以重复使用;在石墨烯上成功生长氮化镓,晶格失配率为25%,证明氮化镓薄膜从制程功能发展到发光二级管,为柔性电子器件中常见半导体的生长提供了新的原理;实现了硅/聚合物串联太阳能电池和三维太阳能电池的高效率。

最近的新闻

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出版物

2020年

h·s·库姆等。,“单晶复合氧化物膜的非均相集成”,自然,卷。578号,不。7793.斯普林格科学与商业亚博网站首页媒体有限公司,第页。75-81岁,2020年.
S、 -H.Bae公司等。,“石墨烯辅助的无位错异质外延自发弛豫”,纳米技术.斯普林格科学与商业亚博网站首页媒体有限公司,2020年.

2018年

W、 孔等。,“极性通过二维物质决定原子间的相互作用”,自然材料,卷。17岁.第页。999-1004年,2018年.

2017年

S、 -H.Bae公司等。,揭示外延石墨烯中的载流子输运机制以形成晶圆级单畴石墨烯,美国国家科学院院刊亚博网站首页,卷。114个.第页。4082-4086号,2017年.
Y、 金等。,“通过石墨烯实现远程外延,实现二维材料基层转移”,自然,卷。544个.第页。340-343个,2017年.
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P、 R.Kidanbi,Boutilier,M.S.H.,Wang,L.,Jang,D.,Kim,J.,和Karnik,R。,“通过原子薄单晶石墨烯膜的选择性纳米级质量传输”,先进材料,卷。29个.p。1605896个,2017年.
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2016年

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Y、 S.李等。,Cu2ZnSn(S,Se)(4)薄膜太阳电池界面钝化用原子层沉积氧化铝,先进能源材料,卷。6个.p。1600198个,2016年.

2015年

J、 金等。,“10.5%高效聚合物和非晶硅混合光伏电池”,自然传播学,卷。6个.p。6391个,2015年.

2014年

J、 金等。,“采用双in233/CdS发射极的高效Cu2ZnSn(S,Se)(4)太阳电池”,先进材料,卷。26个.第页。7427-7431,2014年.
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Y、 T.Chae,Kim,J.,Park,H.,和Shin,B。,“建筑用半透明太阳能电池集成光伏(BIPV)窗的建筑节能性能评估”,应用能,卷。129个.第页。217-227个,2014年.
J、 金等。,《单晶薄膜在外延石墨烯上的直接范德华外延原理》,自然传播学,卷。5个.p。4836,2014年.
C、 贝拉姆等。,“无掩模选区外延纳米沟道Si(100)上的立方相GaN”,先进功能材料,卷。24个.第页。4492 - 4496,2014年.
J、 金等。,“9.4%高效非晶硅太阳能电池,采用高深宽比玻璃微电池”,先进材料,卷。26个.第页。4082-4086号,2014年.
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李:是啊等。,基于聚4-乙烯基苯酚和聚(三聚氰胺-甲醛)的石墨烯钝化方法,适用于柔性、可穿戴和透明的电子产品。,纳米级,卷。6个.第页。3830 - 3836,2014年.

2013年

J、 金等。,“通过工程应变层的层分解石墨烯转移”,亚博网站首页,卷。342.第页。833 - 836,2013年.
S、 -U.Yang先生等。,“深度可控超浅铟镓氧化锌/砷化镓异质结二极管”,合金与化合物杂志,卷。561.第页。228 - 230,2013年.

2012年

J、 金,洪,A.J.,不,J.-W.,申,B.,罗斯,F.M.,和萨达纳,D.K。,三维a-Si:H太阳能电池在自组装纳米球图案的玻璃纳米锥阵列上,纳米ACS,卷。6个.第页。265-271号,2012年.
J、 Kim,Bedell,S.W.和Sadana,D.K。,“磷掺杂锗的多次注入和多次退火以实现接近理论极限的n型活化”,应用物理函电,卷。101.p。112107个,2012年.
J、 Kim,Hong,A.J.,Chandra,B.,Tulevski,G.S.,和Sadana,D.K。,“透明单壁碳纳米管薄膜与金纳米点a-Si:H单结太阳能电池接触电阻的工程”,先进材料,卷。24个.第页。1899 - 1902,2012年.
J、 金,洪,A.J.,不,J.-W.,申,B.,罗斯,F.M.,和萨达纳,D.K。,三维a-Si:H太阳能电池在自组装纳米球图案的玻璃纳米锥阵列上,纳米Acs,卷。6个.第页。265-271号,2012年.
J、 金,洪,A.J.,不,J.-W.,申,B.,罗斯,F.M.,和萨达纳,D.K。,三维a-Si:H太阳能电池在自组装纳米球图案的玻璃纳米锥阵列上,纳米Acs,卷。6个.第页。265-271号,2012年.

2011年

J. Kim, abu - kandil, A. I., Hong, A. J., Saad, M. M., Sadana, D. K., Chen, T. c .,“a-Ge:H掺入p+a-SiC:H/透明导电氧化物界面提高a-Si:H单结太阳电池效率”,应用物理函电,卷。99个.p。062102,2011年.
J、 Kim,Bedell,S.W.和Sadana,D.K。,“锑磷共注入形成的改进型锗n~+p结二极管”,应用物理函电,卷。98个.p。082112,2011年.
O、 Tobail,Kim,J.和Sadana,D。,“场驱动a-Si1-xGex:H太阳能电池收集长度的测定方法”,在里面 欧洲材料研究学会会议讨论会:先进无机材亚搏娱乐网页版登陆料和光电概念,卷。10个,2011年.

2010年

J、 Kim,Abou Kandil,A.I.,Fogel,K.,Hovel,H.,和Sadana,D.K。,高工作功能的金属纳米点对a-Si:H太阳能电池性能的作用:提供对光捕获的欧姆接触。,纳米Acs,卷。4个.第页。7331-7336号,2010年.
J. Kim, D., Fogel, K.,和Sadana, D.,使用低密度SiO2薄膜作为各向异性蚀刻掩膜的单晶硅太阳能电池的表面纹理,太阳能材料与太阳能电池,卷。94年.第页。2091-2093年,2010年.
J、 金,因斯,D.和萨达纳,D.K。,“蒸发非晶硅薄膜的开裂行为”,固体薄膜,卷。518个.第页。4908 - 4910,2010年.
J、 金,因斯,D.和萨达纳,D.K。,氢化/非氢化非晶硅薄膜临界破坏厚度的研究,应用物理学杂志,卷。107.p。073507号,2010年.
J、 Kim,Bedell,S.W.和Sadana,D.K。," > 10(20) cm(-3) n掺杂Ge由Sb/P共植体:n(+)/ P二极管与改进整流",在里面 Sige、Ge及相关化合物4:材料、加工和设备,卷。33个,2010年,第页。201-204年.
J、 Kim,Bedell,S.W.,Maurer,S.L.,Loesing,R.,和Sadana,D.K。,“在活性浓度为1 X 10(20)cm(-3)的锗中使用Sb和P的共植入激活n型掺杂”,电化学和固态字母,卷。13个.第页。II12——II15,2010年.

2008年

J、 Kim,Lee,J.Y.和Xie,Y.-H。,“多孔硅基片上单轴拉伸无位错硅薄膜的制备”,固体薄膜,卷。516个.第页。7599-7603,2008年.

2007年

J、 Kim,Li,B.和Xie,Y.-H。,“通过多孔硅衬底氧化制备无位错拉伸应变SiGe薄膜的方法”,应用物理函电,卷。91个.p。252108个,2007年.

2006年

J、 金和谢,Y.-H。,用可控性氧化多孔硅衬底制备无位错拉伸应变硅薄膜,应用物理函电,卷。89个.p。152117个,2006年.