拉斐尔·哈拉米略

  • 材料科学与工程助理教授亚博网站首页
  • 物理博士,芝加哥大学,2008年
  • 工程硕士,应用和工程物理系,美国康奈尔大学2003年
  • 理学士,应用和工程物理学,康奈尔大学,2002年

电子材料;纳米技术;相变;半导体;表面,界面和薄膜;交通运输现象

拉斐尔·哈拉米略

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我们的研亚搏娱乐网页版登陆究坐在大,材料科学,固体物理和光电技术之间有趣的太空。亚博网站首页我们目前的项目分为三类:

1.光电导:基本的理解,通过材料处理控制,和利用在设备的技术。

2.分层和相变材料:开发新的材料加工方法和证明的新用途的层状硫族化物材料。

3.复杂chalcognides和高度极化的半导体:开发在钙钛矿硫族化物的电子材料及相关复杂,三维晶体结构。

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最近的新闻

Jaramillo想要配置文件

麻省理工学院(MIT)的一篇新闻文章介绍了拉斐尔·哈拉米略(Rafael Jaramillo)教授,文章介绍了一批新教员,他们为学院带来了广泛的能源利益和发展。“我试图找出……范围之间的联系。

新教师

欢迎我们的新老师:Juejun(JJ)胡加入材料科学与工程系任教于2015年1月担任助理教授,材料科学与工程默顿C.弗雷明斯职业发展教授。.亚博网站首页..

出版物

2020

S·S·乔等。氧化催化氧化钼薄膜制备大面积MoS2薄膜的研究[真空科学与技术A的亚博网站首页卷。38,没有。1美国真空学会p。0134052020

2018

s。a。Filippone, Sun, y。-Y。和R. Jaramillo,硫系钙钛矿吸附控制生长窗的测定MRS通信卷。8145 - 1512018
S.牛等。“用于单结太阳能电池的二维Ruddlesden-Popper钙钛矿硫族化合物的最佳带隙”化学材料卷。三十4882 - 48862018
周,徐,李,杨,哈拉米略,R,和李,J,“光力学驱动二维材料中的马氏体快速转变”纳米快报卷。187794 - 78002018
殷浩,阿基,A. J.,和哈拉米略,R.,大而持久的光电导率,这是由于CdS中的孔洞相关。物理评论材料卷。2p。0846022018
s。a。Filippone, Sun, y。-Y。和R. Jaramillo,“硫属化物的钙钛矿的改进的密度的影响的功能的热力学和吸附受控生长窗口”MRS进展卷。33249-32542018

2016

R.贾拉米洛优素福,A.,A密钥,A. J.,Schoofs,F.,拉马纳坦,S.,和Buonassisi,T.,使用原子探针断层扫描来理解ZnO:Al/SiO2/Si肖特基二极管物理评论应用卷。6p。0340162016
r . Jaramillo等。“勘误:‘少数载流子寿命的瞬态太赫兹测量光电导在硫化锡薄膜:高级计量为早期阶段光伏材料’[J.申请物理学。119,035101(2016)]”应用物理学杂志卷。119p。2499012016
r . Jaramillo等。硫化锡薄膜中载流子寿命的瞬态太赫兹光电导测量:早期光伏材料的先进计量学应用物理学杂志卷。119p。0351012016
五,斯坦曼等。“在锡硫化物薄膜太阳能电池的钠污染的影响”APL材料卷。4p。0261032016

2015

A.帕尔默等。“在金刚石砧细胞分开尔文磁性和电气测量原位可调谐性”科学仪器评论卷。86p。0939012015
n·m·摩根等。“框架来预测薄膜太阳能电池吸收剂最佳缓冲层配对:锡硫化物/锌氧硫化物为例”应用物理学杂志卷。118p。1151022015
R.查克拉博蒂等。“上载流子收集在SnS的生长温度的非单调效果的太阳能电池”应用物理快报卷。106p。2039012015
r . Jaramillo等。“通过热蒸发和原子层沉积制造创纪录效率的SnS太阳能电池”杂志可视化实验2015
h·h·公园等。“SnS的联合优化吸收器和Zn(O,S)缓冲液,以提高太阳能电池的材料”光电的进展:研究与应用亚搏娱乐网页版登陆卷。23901-9082015
S. C. SIAH等。“结构的X射线吸收光谱研究和无序的稳定性(铜SNS)的(ZnS)合金”IEEE期刊光伏卷。372-3772015
S. C. SIAH等。用x射线吸收光谱研究掺杂剂在sn -掺杂Ga2O3中的活化应用物理快报卷。107p。2521032015

2014

五,斯坦曼等。“3.88%高效锡硫化物太阳能电池使用全等热蒸发”先进材料卷。267488 - 74922014
V.斯特万诺维奇,哈特曼,K.,贾拉米洛,R.,拉马纳坦,S.,Buonassisi,T.,和格拉夫,P.,电离势和电子亲和随表面取向的变化:正交体SnS的例子应用物理快报卷。104p。2116032014
R.贾拉米洛,哈,S. D.,Silevitch,D. M.,和拉马纳坦,S.,稀土镍酸盐中坏金属电导率的来源及绝缘体-金属的过渡自然物理卷。10304-3072014
严F、Schoofs、F、Shi、J、Ha、S. D.、Jaramillo、R.、Ramanathan、S.、“外延SmNiO3薄膜中的局域电荷写入”[材料的化学品C卷。23805 - 38112014

2013

R. Jaramillo, Schoofs, F., Ha, S. D.和Ramanathan, S.,“SmNiO3薄膜和影响的高压合成的镍酸盐的热力学”[材料的化学品C卷。12455年至2462年2013
s·d·哈等。外延SmNiO3薄膜的霍尔效应测量及其反铁磁性的意义物理评论B卷。87p。1251502013
S. D.哈,周,Y.,哈拉米略,R.,和拉马纳坦,S.,“相关电子:固态器件的平台” 微电子学的未来趋势约翰威利父子公司2013300-307

2012

R.哈拉米略丰,Y.,和罗森鲍姆,T. F.,“四探针与金刚石砧细胞的液体压力介质电测量”科学仪器评论卷。83103902 - 1039022012
y冯等。“在埋量子临界点序参量波动”美国国家科学院院刊亚博网站首页卷。1097224 - 72292012
S. D. Ha, Otaki, M., Jaramillo, R., Podpirka, A., and Ramanathan, S.,“在外延SmNiO3薄膜稳定的金属 - 绝缘体转变”杂志固态化学卷。190233 - 2372012
王,冯,雷,范·维泽尔,范·维泽尔,范·维泽尔,范·维泽尔,范·维泽尔,范·维泽尔,范·维泽尔,范·维泽尔,范·维泽尔,范·维泽尔,范·维泽尔,范·维泽尔,范·维泽尔,金属间CeFe2竞争磁相互作用的压力调谐物理评论B卷。86p。0144222012
y冯等。“在埋量子临界点序参量波动”美国国家科学院院刊亚博网站首页卷。1097224 - 72292012

2011

E. M. Likovich,贾拉米洛,R.,罗素,K. J.,拉马纳坦,S.,和Narayanamurti,V.,具有氧化物电极的高电流密度单层CdSe/ZnS量子点发光器件先进材料卷。234521 - 45252011
R.贾拉米洛和拉马纳坦,S.,“电子粒度和ZnO透明导电的功函数:Al薄膜”先进功能材料卷。214068-40722011
冯,哈拉米略,巴纳吉,霍尼格,J. M.,罗森鲍姆,T. F.,“磁,结构,和在压力诱导莫特 - 哈伯德绝缘体 - 金属过渡电荷相关性”物理评论B卷。83p。0351062011
E. M. Likovich,贾拉米洛,R.,罗素,K. J.,拉马纳坦,S.,和Narayanamurti,V.,掺杂al的ZnO薄膜局部态密度的扫描隧道显微镜研究物理评论B卷。83p。0754302011
R.贾拉米洛和拉马纳坦,S.,透明导电ZnO工作函数的开尔文力显微镜研究:在不同氧气压力下合成的Al电极太阳能材料和太阳能电池卷。95602 - 6052011
E. M. Likovich,贾拉米洛,R.,罗素,K. J.,拉马纳坦,S.,和Narayanamurti,V.,“用扫描隧道阴极发光法探测掺铝氧化锌的窄带缺陷发光”应用物理快报卷。99p。1519102011

2010

R.哈拉米略丰,Y.,和罗森鲍姆,T. F.,反铁磁铬在高压下的衍射线形、费米面嵌套和量子临界(特邀)应用物理学杂志卷。107116 - 092010
冯,贾拉米罗,王,J.,任,Y.,罗森鲍姆,T. F.,“特邀文章:高压技术在低温下凝聚态物理”科学仪器评论卷。812010
R.哈拉米略丰,Y.,王,J.,和罗森鲍姆,T. F.,“纯的Cr量子临界的签名在高压”美国国家科学院院刊亚博网站首页卷。10713631 - 136352010

2009年

r . Jaramillo等。量子相变中巴丁-库珀-施里弗基态的分解性质卷。459405 - 4092009年

2008年

r . Jaramillo等。“铬在高压力:弱耦合和强波动的巡回反铁磁”物理评论B(凝聚态与材料物理)卷。77184418-112008年

2007年

y冯等。“在巡回反铁磁压力调整的自旋和电荷有序”物理评论快报卷。99p。1372012007年
O. G. Shpyrko等。“反铁磁域波动的直接测量”性质卷。44768-712007年
r . Jaramillo等。“反铁磁畴壁的微观和宏观签名”物理评论快报卷。98117206 - 42007年

2006年

S.元,哈拉米略,R.,罗森鲍姆,T. F.,和玉,L.,含有第一排过渡金属配合物的共轭聚合物的合成与表征大分子卷。398652-86582006年

2005年

y冯等。《化学过滤作用下电荷密度波的能量色散x射线衍射》科学仪器评论卷。76063913 - 42005年