半导体特性的新的观察

2013年5月23日

甲显著争议包围用于从领先的LED半导体材料输出的高强度的光，铟镓氮（InGaN）的原因：研究人员一直在富铟团簇是否在材料内形成，并提供LED的显着的效率分裂。亚搏娱乐网页版登陆现在，来自亚搏娱乐网页版登陆麻省理工学院和布鲁克海文国家实验室的研究人员已经明确表明，集群是不是原因。结果，网上公布的应用物理快报，推进LED技术有基本的了解，并可能开辟新的研究途径。亚搏娱乐网页版登陆查看麻省理工学院新闻办公室对于进一步的细节。