SilvijaGradečak

教授材料科学与工程亚博网站首页

文凭在物理，萨格勒布大学（萨格勒布，克罗地亚），1999年
2003年，瑞士联邦理工学院电子显微镜跨学科中心物理学博士

13-5094
gradecak@mit.edu

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电子材料；光子材料

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Gradečak教授的研究主要集中亚搏娱乐网页版登陆在纳米光子学和电子学和基于合成，表征和低维系统的集成。通过接受一个在纳米级的独特的材料特性的优点，她探索新光电子应用如纳米级发光源，单光子源，或纳米线激光器。

了解这种纳米系统的性能，需要多学科的方法和新工具的工具。Gradečak教授使用类似的纳米晶体，纳米管和纳米线独立的纳米级物体的合理的合成，并结合光谱技术，传输测量和先进的电子显微镜技术，在纳米尺度直接相关的结构和物理性能。正在开发作为自己的研究努力的一部分实验技术和方法一般适用于任何材料体系，其中纳米结构，属性和性能之间的相互作用变得显著。亚搏娱乐网页版登陆

出版物

2018年

A.卡迪尔等。,“衬底氮化对200mm Si(111)衬底上生长的氮化镓的螺纹位错密度的影响”,固体薄膜,第一卷。663.第73-78岁,2018年.

郑建杰，庄，c -H。M。,Hentz, O., Rekemeyer, P. H., Bawendi, M. G., and Gradecak, S.,“尺寸和表面定制的氧化锌纳米线增强了量子点光伏器件的电荷收集”,ACS应用能源材料,第一卷。1个.第1815 - 1822,2018年.

O、 Hentz，Rekemeyer，P.和Gradecak，S。，“电压偏置对电流提取的影响在钙钛矿型太阳能电池”,先进能源材料,第一卷。八.页。1701378,2018年.

j·p·汉森等。,《镍基合金725抗氢助断裂晶界的晶体学特征》,自然传播学,第一卷。9个.2018年.

K、博加特等。,二维MoxW1−xS2级配合金:生长和光学性能,科学报告,第一卷。八.2018年.

O、 D.Hentz，Cheng，J.J.，Rekemeyer，P.H.，Andrejevic，N.，和Gradecak，S。，纳米线基体异质结太阳电池,第一卷。98.爱思唯尔,2018年,第479-527.

2017年

P、 H.Rekemeyer，Chuang，C.-H.M.，Bawendi，M.G.，和Gradecak，S。，“少数载流子输运硫化铅量子点太阳能光伏”,纳米字母,第一卷。17.第6221-6227,2017年.

O. Hentz, Zhao, Z.，和Gradecak, S.，" CH3NH3PbI3薄膜局部化学计量学与光电性质的直接关系",在2017年第44届IEEE光伏专家会议（PVSC）,华盛顿特区,2017年,第1-3.

X. Wang, Ermez, S.， Goktas, H.， Gradecak, S.， Gleason, K.，“室温传感由砷化镓纳米线和oCVD聚合物涂层达到了”,高分子快速通讯,第一卷。38.页。1700055,2017年.

2016年

P. H. Rekemeyer，昌，S.，闯，C.-H。M.，黄，G. W.，巴文迪，M. G.，和Gradecak，S.，“通过氧化锌纳米线和带排列工程增强光电流的PBS量子点太阳能光伏”,先进能源材料,第一卷。6个.页。1600848,2016年.

Y、 Song，Chang，S.，Gradecak，S.，和Kong，J。，“柔性基底上的透明有机太阳能电池，带全石墨烯电极”,先进能源材料,第一卷。6个.页。1600847,2016年.

五、斯坦曼等。,薄膜太阳能电池中克服分流损耗的两步吸收器沉积方法:使用硫化锡作为概念证明材料系统,ACS应用材料与界面,第一卷。八.第22664-22670,2016年.

W. J.乔等。,“用于提高太阳能电池效率和寿命的中性空穴传输聚合物的氧化化学气相沉积”,先进材料,第一卷。28.页。6399 - +,2016年.

K. Bogaert, Liu, S.， Chesin, J.， Titow, D.， Gradecak, S.， and Garaj, S.，“二硫化钼/ WS2横向异质的扩散介导的合成”,纳米字母,第一卷。16.第5129-5134,2016年.

S、张等。,“过渡金属氧化物钙钛矿太阳能电池由一个新的有机电荷传输层”,ACS应用材料与界面,第一卷。八.第8511-8519,2016年.

O. Hentz, Zhao, Z.，和Gradecak, S.，“局部光学性能离子隔离的影响在混合卤化物钙钛矿电影”,纳米字母,第一卷。16.第1485 - 1490,2016年.

m - y。陆等。,“Au纳米颗粒包埋的单晶氧化锌纳米线染料敏化太阳能电池的电浆增强”,纳米能量,第一卷。20.第264-271,2016年.

g .据等。,“纳米级映射等离子体激子和在氧化锌四脚加上的Au纳米颗粒”,科学报告,第一卷。6个.页。19168,2016年.

S. Joglekar，Azize，M.，琼斯，E. J.，彼德拉，D.，Gradecak，S.，和帕拉西奥斯，T.，“上的AlGaN / GaN纳米带高电子迁移率晶体管氧化铝钝化的影响”,IEEE汇刊上的电子器件,第一卷。63.第318 - 325,2016年.

J、 J.Cheng，Nicaise，S.M.，Berggren，K.K.，和Gradecak，S。，“水热的立体剪裁生长的氧化锌纳米线阵列”,纳米字母,第一卷。16.第753-759,2016年.

R、脉轮等。,“通过基底工程提高单硫化锡的少数载流子寿命”,在 2016第43届IEEE光伏专家会议（PVSC）,纽约:Ieee,2016年,第415-418.

O. Hentz, Zhao, Z.，和Gradecak, S.，" CH3NH3PbI3薄膜局部化学计量学与光电性质的直接关系",在 2016第43届IEEE光伏专家会议（PVSC）,纽约:Ieee,2016年,第3661-3663.

2015年

E. J. Jones, Ermez, S.，和Gradecak, S.，“应变场中的GaAs的映射/的GaAsP核壳纳米线与纳米级分辨率”,纳米字母,第一卷。15.第7873-7879号,2015年.

S. C.克劳福德，Ermez，S.，Haberfehlner，G.，琼斯，E. J.，和Gradecak，S.，“形核条件对GaAs纳米线直径调制的影响”,纳米技术,第一卷。26.页。225604,2015年.

S. Ermez，琼斯，E. J.，克劳福德，S. C.，和Gradecak，S.，“金属有机化学气相沉积自种子生长GaAs纳米线”,晶体生长与设计,第一卷。15.第2768 - 2774,2015年.

X.周，路，M. -Y。，卢，Y.-J。，琼斯，E. J.，GWO，S.，和Gradecak，S.，铟镓氮化镓/氮化镓奈米圆盘棒异质结构的奈米级光学性质,ACS的纳米,第一卷。9个.第2868 - 2875,2015年.

S. M. Nicaise，程，J. J.，Kiani曾，A.，Gradecak，S.，和伯格伦，K. K.，“用电子束光刻模板用于光伏应用的氧化锌纳米线阵列的属性控制”,纳米技术,第一卷。26.页。075303,2015年.

M、 Seita，Hanson，J.P.，Gradecak，S.，和Demkowicz，M.J。，“氢脆过程中双晶界面的双重作用”,自然传播学,第一卷。6个.2015年.

2014年

S.昌，公园，H.，诚，J. J.，Rekemeyer，P. H.，和Gradecak，S.，“通过氧化锌纳米线与小分子的界面改性提高有机/无机杂化太阳能电池的效率”,物理学d-应用物理系,第一卷。47.2014年.

H. Park, Chang, S.， Zhou, X.， Kong, J.， Palacios, T.，和Gradecak, S.，“以柔性石墨烯电极为基础的高效率有机光伏发电技术”,纳米字母,第一卷。14.第5148-5154号,2014年.

J、 M.Warrender，Mathews，J.，Recht，D.，Smith，M.，Gradecak，S.，和Aziz，M.J。，“含有金属杂质的硅凝固过程中的形态稳定性”,应用物理学杂志,第一卷。115.2014年.

J. Chesin和Gradecak, S.，III-氮化纳米线发光二极管定向效率的比较,纳米光子学》杂志,第一卷。八.2014年.

M、 -Y.Lu，Zhou，X.，Chiu，C.-Y.，Crawford，S.，和Gradecak，S。，“从氮化镓到ZnGa2O4通过低温工艺：碳纳米管和异质结构阵列”,ACS应用材料与界面,第一卷。6个.第882-887,2014年.

2013年

E、琼斯等。,“快速纳米级测量氮化物异质结构应变”,应用物理快报,第一卷。103.2013年.

C、贾加迪什，基尔哈尔，L.和格拉德卡，S。，“半导体纳米线”,物理学1.166，快速研究快报亚搏娱乐网页版登陆,第一卷。7个.第683-684年,2013年.

A. Gumennik等。,轴向热梯度纤维内毛细管不稳定性研究,自然传播学,第一卷。4个.2013年.

周，陆，m -Y。，陆，y -J。,Gwo, S., and Gradecak, S.,“在单个的GaN纳米棒载体掺杂，结构的相关性，和动态”,应用物理快报,第一卷。102.2013年.

g . Haberfehlner等。,“硒偏析飞秒激光Hyperdoped硅通过电子断层扫描揭示”,显微镜和显微分析,第一卷。19.第716-725,2013年.

J.吉恩等。,“氧化锌纳米线阵列的光电流增强在PBS量子点太阳能电池”,先进材料,第一卷。25.第二七九○年至2796年,2013年.

K. H. Baloch, Johnston-Peck, A. C.， Kisslinger, K.， Stach, E. A.， Gradecak, S.，“通过使用低于撞击阈值的畸变校正电子显微镜重新审视InGaN中的“内聚类”问题”,应用物理快报,第一卷。102.2013年.

L.胡，布鲁斯特，M. M.许，X.，唐，C.，Gradecak，S.，和芳，X.，“具有优异光电响应的GaP/ZnS纳米电缆异质外延生长”,纳米字母,第一卷。13.第1941 - 1947,2013年.

H.公园，长安，S.，史密斯，M.，Gradecak，S.，和香港，J.，“石墨烯作为有机光电的阳极和阴极的通用界面工程”,科学报告,第一卷。三.2013年.

M. J.史密斯，舍尔，M. -J。，福兰特，B.，林，Y. -T。，马祖尔，E.，和Gradecak，S.，“对飞秒激光辐照硅表面变形过程中压力诱导相变起源的评论”[J]。达成。物理113,126102(2013)]”,应用物理学杂志,第一卷。113.2013年.

S、 K.Lim，Crawford，S.，Haberfehlner，G.，和Gradecak，S。，“受控直径和组合物沿着个别III-V族氮化物纳米线的调制”,纳米字母,第一卷。13.第331-336号,2013年.

F. Fabbri, Smith, M. J.， Recht, D.， Aziz, M. J.， Gradecak, S.， and Salviati, G.，“硅的深度解析的阴极发光光谱与硫过饱和”,应用物理快报,第一卷。102.2013年.

S. Crawford, Lim, S. K.和Gradecak, S.“对纳米线直径调制和液固界面的基本认识”,纳米字母,第一卷。13.第226-232号,2013年.

H.公园等。,“石墨阴极基于氧化锌纳米线混合太阳能电池”,纳米字母,第一卷。13.第233-239,2013年.

M.德拉马塔等。,纳米线中0D、1D和2D量子结构的MBE生长综述,[材料的化学品C,第一卷。1个.第4300-4312,2013年.

2012年

M. J.史密斯，舍尔，M. -J。，福兰特，B.，林，Y. -T。，马祖尔，E.，和Gradecak，S.，飞秒激光辐照硅表面变形过程中压力诱发相变的起源,应用物理学杂志,第一卷。112.2012年.

E. J.琼斯，Azize，M.，史密斯，M. J.，帕拉西奥斯，T。，和Gradecak，S.，“InAlN/GaN纳米带高电子迁移率晶体管中应力产生与片电阻的关联”,应用物理快报,第一卷。101.2012年.

s . Gradecak“能源应用的半导体纳米线”,美国化学学会论文摘要,第一卷。244.2012年.

十、 Zhou，Chesin，J.，Crawford，S.，和Gradecak，S。，“用种子粒子组成控制GaN纳米线的结构和光学性能”,纳米技术,第一卷。23.2012年.

f .钱等。,“受控的AlN / GaN多量子阱结构纳米线结构的合成及其光学特性”,纳米字母,第一卷。12.第3344-3350个,2012年.

m·t·温克勒等。,“通过控制表面形态研究飞秒的激光hyperdoping”,应用物理学杂志,第一卷。111.2012年.

M. M.布鲁斯特，周，X.，鲁，M-Y，和Gradecak，S.，“单个ZnO纳米结构的结构和光学性质的相互作用”,纳米级,第一卷。4个.第1455-1462年,2012年.

J. Chesin，周，X.，和Gradecak，S.，“用于led的硅上个别GaN纳米线的光提取”,Nanoepitaxy：材料与器件㈣,第一卷。8467.2012年.

2011年

S.仁，Bernardi的，M.，伦特，R.R。，Bulovic，V.，格罗斯曼，J.C.，和Gradecak，S.，“走向高效的碳纳米管/ P3HT太阳能电池：活性层形态，电气和光学特性”,纳米字母,第一卷。11.第5316-5321,2011年.

M. J. Smith, Winkler, M.， Sher, M. -J.。， Lin, y -T。,Mazur, E., and Gradecak, S.,薄膜掺杂前驱体对飞秒激光辐照硅结构和性能的影响,应用物理学，材料科学与加工亚博网站首页,第一卷。105.第795-800,2011年.

M、叠氮等。,“高电子迁移率晶体管基于上的InAlN /氮化镓纳米带”,IEEE电子器件快报,第一卷。32.第1680至1682年,2011年.

林文杰，林文杰。，谢尔，m -J。,Winkler, M. T., Mazur, E., and Gradecak, S.,飞秒激光掺杂硅过程中的压力诱导相变,应用物理学杂志,第一卷。110.2011年.

S.任等。,“无机 - 有机混合太阳能电池：桥接量子点到共轭聚合物纳米线”,纳米字母,第一卷。11.第3998-4002,2011年.

布鲁斯特先生，卢，m -Y。,Lim, S. K., Smith, M. J., Zhou, X., and Gradecak, S.,《氧化锌纳米线的生长与光学特性》,物理化学杂志快报,第一卷。2个.第1940-1945,2011年.

M. M. Brewster，周，X.， Lim, S. K.，和Gradecak, S.，“Au在ZnO纳米线生长和纳米光学性能中的作用”,物理化学杂志快报,第一卷。2个.第586-591,2011年.

S.仁，赵，N.，克劳福德，S. C.，Tambe，M.，Bulovic，V.，和Gradecak，S.，“使用GaAs纳米线和共轭聚合物的异质结光伏”,纳米字母,第一卷。11.第408-413,2011年.

2010年

M. J. Tambe, Ren, S.和Gradecak, S.，“金扩散对砷化镓纳米线的n型掺杂效应”,纳米字母,第一卷。10.第4584-4589,2010年.

S、 K.Lim，Crawford，S.和Gradecak，S。，氮化镓纳米线的生长机理:首选成核位点与氢的作用,纳米技术,第一卷。21.2010年.

c - h。曾，谭比，m.j.， Lim, s.k.， Smith, m.j.， Gradecak, S.，“通过AU位置来控制纳米线生长的纳米颗粒通过电化学反应合成”,纳米技术,第一卷。21.2010年.

M. J. Tambe, Allard, L. F.和Gradecak, S.，利用先进电子显微镜表征核-壳GaAs/AlGaAs纳米线异质结构,在第16届国际会议上的半导体材料的显微,第一卷。209,2010年.

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2009年

S、林先生，布鲁斯特先生，M.M.，钱先生，F.，李先生，Y.，利伯先生，C.M.，和格雷达克先生。，“具有纳米尺度分辨率的III-V氮化纳米线异质结构的结构与光学性质的直接关系”,纳米字母,第一卷。9个.第3940-3944号,2009年.

M. M. Brewster, Schimek, O.， Reich, S.，和Gradecak, S.，“在个人的GaAs纳米线激子 - 声子耦合研究使用共振拉曼光谱”,物理评论B,第一卷。80.2009年.

X.方，阪，Y.，高塔姆，U.K。，翟，T.，Gradecak，S.，和Golberg，D.，“一维纳米半导体中的异质结构和超晶格”,材料化学杂志,第一卷。19.第5683-5689,2009年.

2008年

M. J. Tambe，林，S. K.，史密斯，M. J.，阿拉德，L. F.，和Gradecak，S.，无缺陷外延核壳GaAs/AlGaAs纳米线异质结构的实现,应用物理快报,第一卷。93.2008年.

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S、 K.Lim，Tambe，M.J.，布鲁斯特，M.M.，和Gradecak，S。，金属有机化学气相沉积控制三元合金纳米线的生长,纳米字母,第一卷。八.第1386年至1392年,2008年.

2006年

钱芳，李，葛拉迪卡克，S.，利伯，C. M.，“作为高效多色发光二极管的INOR 63纳米线异质结构”,美国化学学会论文摘要,第一卷。232.2006年.

李Y.等。,“无掺杂氮化镓/氮化铝/藻类径向纳米线异质结构作为高电子迁移率晶体管”,纳米字母,第一卷。6个.第1468年至1473年,2006年.

李Y.等。,“纳米线径向异质结构作为高电子迁移率晶体管”,美国化学学会论文摘要,第一卷。231.2006年.

2005年

F、钱，Gradecak，S.，李，Y.，温，C.Y.，和Lieber，C.M。，“核/多的纳米线异质结构作为多色，高效率的发光二极管”,纳米字母,第一卷。5个.第2287 - 2291,2005年.

S、 Gradecak，Qian，F.，Li，Y.，Park，H.G.，和Lieber，C.M。，低激光阈值GaN纳米线激光器,应用物理快报,第一卷。87.2005年.

P. V. Radovanovic, Barrelet, C. J.， Gradecak, S.， Qian, F.，和Lieber, C. M.，“通用合成与性能锰掺杂的II-VI和III-V族稀释磁性半导体纳米线”,美国化学学会论文摘要,第一卷。230.第U2042 - U2043,2005年.

D. C.贝尔，Barrelet，C.J.，Gradecak，S.，和利伯，C.M.，“表征纳米线光子的特性。”,显微分析:美国显微学会官方期刊，加拿大显微学会微束分析学会,第一卷。11增刊2.第1968-9年,2005年.

P. V. Radovanovic, Barrelet, C. J.， Gradecak, S.， Qian, F.，和Lieber, C. M.，“掺杂锰的II-VI和III-V半导体纳米线的一般合成”,纳米字母,第一卷。5个.第1407至11年,2005年.

J、多尔萨，卡林，J.F.，格雷德卡，S.和伊莱格姆斯，M。，“进展AlInN基的GaN布拉格反射器：应用到微腔发光二极管”,应用物理学杂志,第一卷。97.2005年.

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2004年

S. Gradecak，施塔德尔曼，P.，瓦格纳，V.，和Ilegems，M.，“在GaN中期间外延横向过生长的位错的弯曲”,应用物理快报,第一卷。85.第4648-4650,2004年.

F.钱，李，Y.，Gradecak，S.，王，D. L.，Barrelet，C. J.和利伯，C. M.，“氮化镓系纳米线异质结构径向为纳米光子学”,纳米字母,第一卷。4个.第1975-1979,2004年.

J. Dorsaz, Carlin, J. F.， Zellweger, C. M.， Gradecak, S.， and Ilegems, M.，“的InGaN / GAN谐振腔LED包括AlInN组成/ GAN布拉格反射镜”,物理学1.166一，应用研究亚搏娱乐网页版登陆,第一卷。201.第2675 - 2678,2004年.

D. C.贝尔等。,“成像和纳米线的分析”,显微镜研究与技术亚搏娱乐网页版登陆,第一卷。64.第373 - 389,2004年.

J. F.卡林，Dorsaz，J.，泽尔韦格，C.M.，Gradecak，S.，和Ilegems，M.，AlInN中作为基于GaN的光电子高折射率对比材料.2004年.

J、 Napierala，Martin，D.，Buhlmann，H.J.，Gradecak，S.，和Ilegems，M。，“低压氢化物气相外延在蓝宝石上横向生长GaN”,在碳化硅和相关材料2003，PRT的1和2,第一卷。457-460,2004年,第1581-1584年.

2003年

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2002年

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五、瓦格纳等。,载气成分对氢化物气相外延选择性生长GaN的形貌、位错和显微发光性能的影响,应用物理学杂志,第一卷。92.第1307-1316,2002年.

J. C. Lasjaunias等。,“声和硬质碳的热输送性质从C-60富勒烯形成的”,物理评论B,第一卷。66.2002年.

G. Zgrablic等。,“electrophonic声音的仪器记录从列昂尼德火球”,地球物理研究杂志空间物理学亚搏娱乐网页版登陆,第一卷。107.2002年.

S、 Gradecak，Wagner，V.，Ilegems，M.，Riemann，T.，Christen，J.，和Stadelmann，P。，“侧向生长的GaN中点缺陷掺入的微观证据”,应用物理快报,第一卷。80.第2866-2868个,2002年.

A、 Smontara，Tonejc，A.M.，Gradecak，S.，Tonejc，A.，Bilusic，A.，和Lasjaunias，J.C。，富勒石C-60和C-70样品的结构(XRD和HRTEM)研究,材料科学与工程C-仿亚博网站首页生与超分子体系,第一卷。19.第21-25,2002年.

S. Gradecak，沃尔克，V.，Ilegems，M.，BOBARD，F.，和施塔德尔曼，P.，“通过氢化物气相外延生长ELO-的GaN层的微观结构”,在甘及相关合金-2001,第一卷。693,2002年,第123-128号.

2001年

A. Bilusic, Gradecak, S.， Tonejc, A.， Tonejc, A. T.， Lasjaunias, J. C.， Smontara, A.，“富勒样品的输运性质”,合成金属,第一卷。121.第1121 - 1122,2001年.

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